ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > SUD23N06-31-T4-GE3
Datasheet下载- 型号： SUD23N06-31-T4-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SUD23N06-31-T4-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SUD23N06-31-T4-GE3价格参考。VishaySUD23N06-31-T4-GE3封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 N 沟道 60V 21.4A（Tc） 5.7W（Ta），31.25W（Tc） TO-252，（D-Pak）。您可以下载SUD23N06-31-T4-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SUD23N06-31-T4-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SUD23N06-31-T4-GE3 是一款 N 沟道功率 MOSFET，属于单MOSFET晶体管，广泛应用于需要高效开关和低导通电阻的电源管理场景。该器件具有60V的漏源电压（VDS）和23A的大电流承载能力，导通电阻极低（典型值约28mΩ），适合高效率、低功耗设计。 主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS），适用于笔记本电脑、显示器和通信设备中的电压调节模块。 2. 电机驱动：用于小型电机控制，如无人机、电动工具和家用电器中的马达驱动电路。 3. 负载开关与电源管理：在电池供电设备（如便携式电子设备、移动电源）中作为高端或低端开关，实现快速响应和低损耗。 4. 热插拔电路：用于服务器、工业控制板等需防止浪涌电流的场合。 5. 逆变器与LED驱动：在LED照明电源和小型逆变器中提供高效开关功能。 该MOSFET采用TrenchFET® 技术，具备优良的热稳定性和高频开关性能，封装为PowerPAK SO-8，节省空间且利于散热，适合紧凑型高密度PCB设计。综合其电气特性和封装优势，SUD23N06-31-T4-GE3特别适用于追求高效率、小体积和高可靠性的现代电子系统。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 21.4A TO252 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SUD23N06-31-T4-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 670pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 31 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-252，（D-Pak） |
| 功率-最大值 | 31.25W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线+接片），SC-63 |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 21.4A （Tc） |
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