Datasheet下载- 型号： IRFL214PBF
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFL214PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFL214PBF价格参考。VishayIRFL214PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFL214PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFL214PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IRFL214PBF 是 Vishay Siliconix 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET，属于功率场效应晶体管（FET），常用于需要高效开关和功率控制的电子电路中。以下是其典型应用场景： 1. 电源管理：IRFL214PBF 广泛应用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器和电池充电器中，用于高效地控制电流流动，提升整体能效。 2. 电机控制：在直流电机驱动器和步进电机控制器中，该器件用于实现高速开关和精确的电流控制，适用于工业自动化和机器人系统。 3. 负载开关：作为高侧或低侧开关，用于控制电源对负载的供给，常见于电源管理系统和智能配电设备。 4. 逆变器与变频器：在小型逆变器、UPS（不间断电源）和变频器中，用于实现电能形式的转换与调节。 5. 汽车电子：由于其高可靠性和封装坚固性，也可用于汽车中的电动助力转向、车灯控制、风扇驱动等应用。 6. 消费电子产品：如笔记本电脑电源适配器、LED 照明调光系统等对效率和空间要求较高的场合。 该 MOSFET 具有低导通电阻、高开关速度和良好热性能，适合中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 250V 790MA SOT223MOSFET N-Chan 250V 0.79 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 790 mA |
| Id-连续漏极电流 | 790 mA |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFL214PBF- |
| 数据手册 | http://www.vishay.com/doc?91194 |
| 产品型号 | IRFL214PBFIRFL214PBF |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 250 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 250 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 7.6 ns |
| 下降时间 | 7 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 140pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.2nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2 欧姆 @ 470mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-223 |
| 典型关闭延迟时间 | 16 ns |
| 功率-最大值 | 2W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-261-4，TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 250V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 790mA （Tc） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Dual Dual Drain |
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