Datasheet下载- 型号： SI7703EDN-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7703EDN-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7703EDN-T1-E3价格参考。VishaySI7703EDN-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7703EDN-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7703EDN-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7703EDN-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制和低导通电阻的应用场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等便携设备中的电源开关和负载管理，提供高效的电源控制。 2. 电池供电系统：在电池管理系统中用于控制充放电路径，防止反向电流流动，保护电池安全。 3. 负载开关：作为负载开关用于控制外围设备的电源供应，如USB设备、显示屏背光等。 4. 马达控制与继电器替代：用于小型马达或电磁阀的控制，替代传统机械继电器，提升系统可靠性和寿命。 5. DC-DC转换器：在同步整流型DC-DC转换器中作为高边或低边开关，提高转换效率。 6. 工业控制设备：用于工业自动化系统中的信号切换和功率控制模块。 该器件采用小型封装（如TDFN），适合高密度PCB布局，且具备低导通电阻（Rds(on)）特性，有助于减少功率损耗，提高系统效率。由于其良好的热性能和可靠性，适用于对空间和效率要求较高的电子设备。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 4.3A 1212-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 二极管（隔离式） |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7703EDN-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1V @ 800µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 18nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 48 毫欧 @ 6.3A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® 1212-8 |
| 其它名称 | SI7703EDN-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 1.3W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® 1212-8 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 4.3A （Ta） |
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