Datasheet下载- 型号： IPB14N03LA
- 制造商： Infineon
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IPB14N03LA由Infineon设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IPB14N03LA价格参考。InfineonIPB14N03LA封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IPB14N03LA参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IPB14N03LA 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的IPB14N03LA是一款MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）产品，属于单N沟道功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点，适用于多种功率电子系统。 IPB14N03LA的主要应用场景包括： 1. 电源管理系统：如DC-DC转换器、开关电源（SMPS）中，用于高效能转换和稳压控制。 2. 电机驱动：在电动工具、风扇、泵类等小型电机控制电路中，作为开关元件使用。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动汽车、储能系统或便携式设备中的充放电控制与保护。 4. 汽车电子：作为车载电源、LED照明、继电器替代开关等应用中的核心功率器件。 5. 工业自动化与控制设备：如PLC、变频器和伺服驱动器中，用于负载切换与功率调节。 6. 消费电子产品：如充电器、适配器、智能家电等对效率和空间要求较高的场景。 该MOSFET采用PG-TO220封装，便于散热和安装，适合中高功率应用。其30V的漏源电压（VDS）和14A的连续漏极电流能力，使其在低压大电流场景中表现优异。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 30A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Infineon Technologies |
| 数据手册 | http://www.infineon.com/dgdl/IPB14N03LA_Rev1.7_G.pdf?folderId=db3a304412b407950112b408e8c90004&fileId=db3a304412b407950112b42b4ee844c0 |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | IPB14N03LA |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | OptiMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 20µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1043pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 8.3nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 13.6 毫欧 @ 30A，10V |
| 供应商器件封装 | PG-TO263-3 |
| 其它名称 | IPB14N03LAINTR |
| 功率-最大值 | 46W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 标准包装 | 1,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 30A （Tc） |
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