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  • 型号: IRFR1018EPBF
  • 制造商: International Rectifier
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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IRFR1018EPBF产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR1018EPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR1018EPBF价格参考。International RectifierIRFR1018EPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 56A(Tc) 110W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR1018EPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR1018EPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 60V 79A DPAKMOSFET 60V 1 N-CH HEXFET 8.4mOhms 46nC

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

79 A

Id-连续漏极电流

79 A

品牌

International Rectifier

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR1018EPBFHEXFET®

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产品型号

IRFR1018EPBF

PCN组件/产地

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Pd-PowerDissipation

110 W

Pd-功率耗散

110 W

Qg-GateCharge

46 nC

Qg-栅极电荷

46 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

7.1 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

7.1 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

60 V

Vds-漏源极击穿电压

60 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 100µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2290pF @ 50V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

69nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

8.4 毫欧 @ 47A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D-Pak

功率-最大值

110W

功率耗散

110 W

包装

管件

商标

International Rectifier

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

导通电阻

7.1 mOhms

封装

Tube

封装/外壳

TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63

封装/箱体

DPAK-2

工厂包装数量

75

晶体管极性

N-Channel

栅极电荷Qg

46 nC

标准包装

75

汲极/源极击穿电压

60 V

漏极连续电流

79 A

漏源极电压(Vdss)

60V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

56A (Tc)

设计资源

http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru1018e.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irfru1018e.spi

配置

Single

闸/源击穿电压

20 V

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