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  • 型号: SIR880DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIR880DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR880DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR880DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR880DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR880DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR880DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix品牌的SIR880DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 电源管理:该MOSFET适用于各种开关电源(SMPS)应用,例如DC-DC转换器、降压或升压转换器等。它能够高效地进行电流切换,从而实现稳定的电压输出。

2. 电机驱动与控制:在小型电机驱动电路中,SIR880DP-T1-GE3可以用作功率开关,控制电机的启动、停止和速度调节。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少功耗并提高效率。

3. 负载切换:此器件适合用作负载开关,在便携式电子设备如智能手机、平板电脑及笔记本电脑中,用于动态开启或关闭某些功能模块以节省能源。

4. 电池保护:在锂电池保护电路里,它可以充当充放电路径上的串联开关,防止过充、过放以及短路情况发生,确保电池安全运行。

5. 逆变器和UPS系统:对于需要高频工作的不间断电源(UPS)或者太阳能微型逆变器来说,这款MOSFET凭借其快速开关速度和较低的开关损耗成为理想选择。

6. LED照明驱动:在高亮度LED灯条或背光驱动电路中,作为电流调节元件来维持恒定电流输出,保证LED亮度一致性和延长使用寿命。

7. 通信设备:广泛应用于基站、路由器等通讯设施中的信号处理部分,提供可靠的数据传输性能同时降低热生成量。

总之,由于其卓越的电气特性和紧凑封装形式(TrenchFET Gen III 3.3x3.3 PowerPAK® SO-8),SIR880DP-T1-GE3非常适配于追求高效能、小尺寸设计的各种现代电子产品之中。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8MOSFET 80V 5.9mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR880DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

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产品型号

SIR880DP-T1-GE3SIR880DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

104 W

Pd-功率耗散

104 W

Qg-GateCharge

49 nC

Qg-栅极电荷

49 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

5.9 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

5.9 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

2.8 V

Vgsth-栅源极阈值电压

2.8 V

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2440pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

74nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

5.9 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIR880DP-T1-GE3CT

功率-最大值

104W

包装

剪切带 (CT)

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

64 S

漏源极电压(Vdss)

80V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-thunderfet/1150

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

系列

SIRxxxDP

配置

Dual

零件号别名

SIR880DP-GE3

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