Datasheet下载- 型号： FCP25N60N
- 制造商： Fairchild Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供FCP25N60N由Fairchild Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FCP25N60N价格参考。Fairchild SemiconductorFCP25N60N封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载FCP25N60N参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有FCP25N60N 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FCP25N60N 是安森美半导体（ON Semiconductor）生产的一款N沟道增强型MOSFET，主要应用于需要高效能功率开关的场合。其典型应用场景包括： 1. 电源管理：如开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、AC-DC适配器等，适用于高效率、高频开关应用。 2. 电机控制：用于直流电机驱动器、无刷电机控制器中，作为功率开关元件，实现对电机速度和方向的控制。 3. 照明系统：在LED照明驱动电源中，用于实现恒流控制和高效能转换。 4. 逆变器与变频器：适用于UPS（不间断电源）、太阳能逆变器、工业变频器等功率变换系统。 5. 消费类电子产品：如电视、音响、充电器等设备中的电源部分。 该MOSFET具有25A连续漏极电流、600V漏源击穿电压，适合中高功率应用，具备良好的热稳定性和可靠性，广泛用于工业、消费电子及绿色能源系统中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V TO-220-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | FCP25N60N |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SupreMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3352pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 74nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 12.5A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 功率-最大值 | 216W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 25A （Tc） |
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