图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
- 型号： IXFN32N120P
- 制造商： IXYS
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IXFN32N120P由IXYS设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXFN32N120P价格参考。IXYSIXFN32N120P封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IXFN32N120P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IXFN32N120P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
IXYS公司生产的IXFN32N120P是一款N沟道MOSFET晶体管，其主要应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS） - IXFN32N120P的高电压耐受能力（1200V）和低导通电阻特性使其非常适合用于开关电源中的功率开关。它能够高效地控制电流的开断，适用于AC-DC或DC-DC转换器。 2. 电机驱动 - 在工业自动化和消费电子领域，该MOSFET可用于驱动直流电机、步进电机或伺服电机。其高击穿电压和大电流承载能力（32A）使其能够适应高压环境下的电机控制需求。 3. 逆变器 - 该型号适用于太阳能逆变器或其他类型的电力逆变器中，用于将直流电转换为交流电。其出色的电气性能确保了高效的能量转换和稳定的运行。 4. 不间断电源（UPS） - 在UPS系统中，IXFN32N120P可以用作功率开关，以实现电池充电和放电管理，同时支持负载切换功能。 5. 电动车与电动工具 - 这款MOSFET可应用于电动车（如电动自行车、摩托车）以及电动工具（如电钻、割草机等）的功率控制系统中，提供可靠的动力输出和保护机制。 6. 负载切换与保护电路 - 由于其优异的耐用性和稳定性，IXFN32N120P常被用作负载切换器件，能够在过载、短路等异常情况下快速切断电路，保护下游设备。 7. 脉宽调制（PWM）控制器 - 在需要精确控制输出功率的应用中，例如LED驱动、加热元件控制等，IXFN32N120P可以通过PWM信号实现高效调节。 总结 IXFN32N120P凭借其1200V的额定电压、32A的最大连续漏极电流以及较低的导通电阻，非常适合用于高压、大电流场景下的功率转换和控制任务。其典型应用涵盖工业、汽车、消费电子及可再生能源等多个领域。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227BMOSFET 32 Amps 1200V |
| 产品分类 | FET - 模块分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 32 A |
| Id-连续漏极电流 | 32 A |
| 品牌 | IXYS |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,IXYS IXFN32N120PPolar™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IXFN32N120P |
| Pd-PowerDissipation | 1 kW |
| Pd-功率耗散 | 1 kW |
| Qg-GateCharge | 360 nC |
| Qg-栅极电荷 | 360 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 310 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 310 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 1.2 kV |
| Vds-漏源极击穿电压 | 1.2 kV |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 6.5 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 6.5 V |
| 上升时间 | 62 ns |
| 下降时间 | 58 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 6.5V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 21000pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 360nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 310 毫欧 @ 500mA，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-227B |
| 典型关闭延迟时间 | 88 ns |
| 功率-最大值 | 1000W |
| 包装 | 管件 |
| 单位重量 | 38 g |
| 商标 | IXYS |
| 商标名 | Polar, HiPerFET |
| 安装类型 | 底座安装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | SOT-227-4，miniBLOC |
| 封装/箱体 | SOT-227B-4 |
| 工厂包装数量 | 10 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 10 |
| 正向跨导-最小值 | 17 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 1200V（1.2kV） |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 32A |
| 系列 | IXFN32N120 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Source |
(SN).jpg)
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
