Datasheet下载- 型号： IRFS3306TRLPBF
- 制造商： International Rectifier
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFS3306TRLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFS3306TRLPBF价格参考￥7.08-￥7.71。International RectifierIRFS3306TRLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFS3306TRLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFS3306TRLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFS3306TRLPBF的晶体管属于MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）- 单个分类。它是一款性能优良的功率MOSFET，广泛应用于需要高效、高可靠性的电源管理系统中。 该器件的主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于DC-DC转换器、同步整流器等电源模块，提供高效的能量转换。 2. 电机控制：用于电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动电路。 3. 负载开关：作为电子开关控制高电流负载，如LED照明、加热元件等。 4. 电池管理系统（BMS）：在便携式设备或电动汽车中用于电池充放电控制与保护。 5. 汽车电子：因其高可靠性和耐用性，常用于车载电源系统、车身控制模块等场景。 该MOSFET采用表面贴装封装（如PowerPAK SO-8），具有低导通电阻、快速开关特性和良好的热性能，适合高频与高效率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 4.52 nF |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A D2PAKMOSFET MOSFT 60V 160A 4.2mOhm 85nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 160 A |
| Id-连续漏极电流 | 160 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFS3306TRLPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFS3306TRLPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 230 W |
| Pd-功率耗散 | 230 W |
| Qg-GateCharge | 85 nC |
| Qg-栅极电荷 | 85 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.3 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.3 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 76 ns |
| 下降时间 | 77 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4520pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 120nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 4.2 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | IRFS3306TRLPBFTR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 230W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 正向跨导-最小值 | 230 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl3306pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl3306pbf.spi |
| 配置 | Single |
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