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Datasheet下载- 型号： STFI13N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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STFI13N60M2产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STFI13N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STFI13N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTFI13N60M2封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 600V 11A（Tc） 25W（Tc） I2PAKFP（TO-281）。您可以下载STFI13N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STFI13N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STFI13N60M2是一款高压、高速的N沟道增强型功率MOSFET，属于600V电压等级的产品，采用TO-220FP封装。该器件主要应用于需要高效开关性能和低导通损耗的电源系统中。 典型应用场景包括：开关电源（SMPS），如AC-DC适配器、充电器和工业电源；照明领域中的电子镇流器和LED驱动电源；家用电器中的电机控制与电源管理，如空调、洗衣机等变频控制系统；以及太阳能逆变器、UPS不间断电源等新能源与工业电源设备。 STFI13N60M2具备较低的栅极电荷（Qg）和导通电阻（Rds(on)），有助于提高转换效率，减少发热，提升系统能效。其坚固的制造工艺和高雪崩耐量也增强了在恶劣工作环境下的可靠性。此外，该MOSFET兼容标准驱动信号，便于集成到各种控制电路中。 综上，STFI13N60M2广泛适用于中高功率开关电源及工业控制领域，尤其适合追求高效率、高可靠性和紧凑设计的应用场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V I2PAK-FP |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STFI13N60M2 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | MDmesh™ II Plus |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 580pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 17nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 380 毫欧 @ 5.5A，10V |
| 供应商器件封装 | I2PAKFP |
| 其它名称 | 497-13950-5 |
| 功率-最大值 | 25W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tc） |
