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IRFR3410TRPBF产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFR3410TRPBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFR3410TRPBF价格参考¥2.28-¥2.46。International RectifierIRFR3410TRPBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 31A(Tc) 3W(Ta),110W(Tc) D-Pak。您可以下载IRFR3410TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRFR3410TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies(英飞凌科技)生产的IRFR3410TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET晶体管,广泛应用于各种电力电子领域。以下是其主要应用场景: 1. 开关电源(SMPS): IRFR3410TRPBF适用于开关电源中的功率开关器件,用于高效转换和调节电压。其低导通电阻(Rds(on))特性可降低功耗,提高系统效率。 2. 电机驱动: 在小型直流电机或步进电机驱动中,该MOSFET可用作开关元件,控制电机的启动、停止和速度调节。其快速开关能力和高电流承载能力非常适合此类应用。 3. 逆变器: 用于光伏逆变器或其他类型的逆变器中,作为功率级开关器件,将直流电转换为交流电。其出色的电气性能有助于实现高效的能量转换。 4. 负载切换: 在汽车电子或工业控制系统中,IRFR3410TRPBF可用于负载切换,以保护电路免受过载或短路的影响。其坚固的设计能够承受瞬态电流冲击。 5. 电池管理: 在电池管理系统(BMS)中,这款MOSFET可用于充放电控制和保护功能,确保电池的安全运行并延长其寿命。 6. DC-DC转换器: 在降压或升压DC-DC转换器中,IRFR3410TRPBF作为主开关器件,提供高效稳定的电压转换能力。 7. 继电器替代: 由于其快速响应和低功耗特性,该MOSFET可以替代传统机械继电器,用于需要频繁开关的应用场景。 总结来说,IRFR3410TRPBF凭借其低导通电阻、高电流处理能力和快速开关速度,适合各种中低功率的电力电子应用,尤其是在需要高效能和可靠性的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 31A DPAKMOSFET 100V SINGLE N-CH 39mOhms 37nC |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 31 A |
| Id-连续漏极电流 | 31 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFR3410TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFR3410TRPBF |
| Pd-PowerDissipation | 110 W |
| Pd-功率耗散 | 110 W |
| Qg-GateCharge | 37 nC |
| Qg-栅极电荷 | 37 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 39 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 39 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2 V to 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2 V to 4 V |
| 上升时间 | 27 ns |
| 下降时间 | 13 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1690pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 56nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 39 毫欧 @ 18A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D-Pak |
| 其它名称 | IRFR3410TRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 3W |
| 功率耗散 | 110 W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 39 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
| 封装/箱体 | DPAK-2 |
| 工厂包装数量 | 2000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 栅极电荷Qg | 37 nC |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 33 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 31 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 31A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfru3410.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfru3410.spi |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |