【未分类_IRF6201TRPBF】封装/厂家_IRF6201TRPBF中文资料_价格

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型号： IRF6201TRPBF
制造商： International Rectifier
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRF6201TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF6201TRPBF价格参考。International RectifierIRF6201TRPBF封装/规格：未分类，暂无。您可以下载IRF6201TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF6201TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Infineon Technologies（英飞凌科技）的IRF6201TRPBF是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管 - FET，MOSFET - 单类。以下是其主要应用场景：

 1. 开关电源（SMPS）
   - IRF6201TRPBF适用于各种开关电源设计，包括DC-DC转换器、AC-DC适配器和电源模块。
   - 其低导通电阻（Rds(on)）特性可以降低功率损耗，提高效率。
   - 常用于笔记本电脑适配器、手机充电器和其他便携式设备的电源管理。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中，该MOSFET可以用作开关元件。
   - 适合家用电器（如风扇、水泵）、无人机、电动工具等需要高效开关控制的应用。

 3. 电池管理系统（BMS）
   - 用于锂电池或其他类型电池组的保护电路中，作为充放电路径的开关。
   - 提供过流保护、短路保护等功能，确保电池安全运行。

 4. 逆变器和UPS系统
   - 在不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，IRF6201TRPBF可用作功率开关，实现直流到交流的转换。
   - 其快速开关速度和低功耗特点有助于提高系统的整体效率。

 5. 负载切换
   - 在汽车电子、工业控制和其他需要负载切换的场景中，该MOSFET可作为高效的电子开关。
   - 例如：车载电子设备的电源控制、LED照明系统的负载切换等。

 6. 信号放大与处理
   - 虽然主要用于功率应用，但在某些低频信号处理场合，IRF6201TRPBF也可用作信号放大或缓冲。

 性能优势：
- 低导通电阻：减少导通时的功率损耗，提高效率。
- 高电流能力：支持较大的负载电流，适用于多种功率应用。
- 快速开关速度：降低开关损耗，适合高频开关应用。
- 高可靠性：符合工业级标准，能够在恶劣环境下稳定工作。

综上所述，IRF6201TRPBF广泛应用于消费电子、工业控制、汽车电子和能源管理等领域，是一款性能优越的功率MOSFET。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品半导体
描述	MOSFET N-CH 20V 27A 8-SOICMOSFET MOSFT 20V 27A 2.5mOhm 2.5V cpbl
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	逻辑电平门
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	27 A
Id-连续漏极电流	27 A
品牌	International Rectifier
产品手册	点击此处下载产品Datasheet
产品图片
rohs	符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF6201TRPBFHEXFET®
数据手册	点击此处下载产品Datasheet
产品型号	IRF6201TRPBF
PCN组件/产地	点击此处下载产品Datasheet
Pd-PowerDissipation	2.5 W
Pd-功率耗散	2.5 W
Qg-GateCharge	130 nC
Qg-栅极电荷	130 nC
RdsOn-Drain-SourceResistance	2.45 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	2.45 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	20 V
Vds-漏源极击穿电压	20 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	12 V
Vgs-栅源极击穿电压	12 V
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	1.1V @ 100µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	8555pF @ 16V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	195nC @ 4.5V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	2.45 毫欧 @ 27A，4.5V
产品培训模块	http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240
产品种类	MOSFET
供应商器件封装	8-SO
其它名称	IRF6201TRPBFCT
功率-最大值	2.5W
包装	剪切带（CT）
商标	International Rectifier
安装类型	表面贴装
安装风格	SMD/SMT
封装	Reel
封装/外壳	8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
封装/箱体	SOIC-8
工厂包装数量	4000
晶体管极性	N-Channel
标准包装	1
漏源极电压(Vdss)	20V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	27A （Ta）
设计资源	http://www.irf.com/product-info/models/SABER/irf6201pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/SPICE/irf6201pbf.spi