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  • 型号: SIR826DP-T1-GE3
  • 制造商: Vishay
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SIR826DP-T1-GE3产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供SIR826DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR826DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR826DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR826DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR826DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

Vishay Siliconix的SIR826DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域:

1. 电源管理:该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)中,作为高效的开关器件。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低功耗并提高效率。

2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中,SIR826DP-T1-GE3可以用作功率开关,控制电机的启停、转向和速度调节。

3. 负载开关:在消费类电子产品(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中,该器件可作为负载开关使用,用于动态管理不同功能模块的供电状态,从而优化电池续航时间。

4. 电池保护与管理:应用于便携式设备中的电池保护电路,能够实现过流保护、短路保护以及防止反向充电等功能。

5. 信号切换:在通信设备或工业控制系统里,这款MOSFET可以用来切换不同的信号路径,确保信号传输的准确性和稳定性。

6. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,它能参与能量转换过程,提供快速且可靠的切换操作。

7. 汽车电子:尽管具体耐温范围需查阅数据手册确认,但类似规格的产品常用于车载电子装置,例如LED照明控制、电动座椅调节及娱乐系统等方面。

总之,凭借其出色的电气性能和紧凑的封装形式(如TrenchFET Gen III技术带来的低Rds(on)),SIR826DP-T1-GE3非常适合需要高效能、小尺寸解决方案的各种应用场合。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

60 A

Id-连续漏极电流

60 A

品牌

Vishay / SiliconixVishay Siliconix

产品手册

http://www.vishay.com/doc?67196

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR826DP-T1-GE3TrenchFET®

数据手册

点击此处下载产品Datasheet

产品型号

SIR826DP-T1-GE3SIR826DP-T1-GE3

Pd-PowerDissipation

104 W

Pd-功率耗散

104 W

Qg-GateCharge

27.9 nC

Qg-栅极电荷

27.9 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

4.8 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

4.8 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

80 V

Vds-漏源极击穿电压

80 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

+/- 20 V

上升时间

14 ns

下降时间

8 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.8V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

2900pF @ 40V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

90nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

4.8 毫欧 @ 20A,10V

产品种类

N-Channel MOSFETs

供应商器件封装

PowerPAK® SO-8

其它名称

SIR826DP-T1-GE3DKR

典型关闭延迟时间

36 ns

功率-最大值

104W

包装

Digi-Reel®

商标

Vishay / Siliconix

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

PowerPAK® SO-8

封装/箱体

PowerPAK SO-8

工厂包装数量

3000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

80 S

漏源极电压(Vdss)

80V

特色产品

http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-thunderfet/1150

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

60A (Tc)

系列

SIRxxxDP

通道模式

Enhancement

配置

Single

零件号别名

SIR826DP-GE3

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