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SIR826DP-T1-GE3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SIR826DP-T1-GE3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SIR826DP-T1-GE3价格参考。VishaySIR826DP-T1-GE3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 80V 60A(Tc) 6.25W(Ta),104W(Tc) PowerPAK® SO-8。您可以下载SIR826DP-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SIR826DP-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SIR826DP-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET,其主要应用场景包括但不限于以下领域: 1. 电源管理:该MOSFET适用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器和电压调节模块(VRM)中,作为高效的开关器件。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于降低功耗并提高效率。 2. 电机驱动:在小型直流电机或步进电机驱动电路中,SIR826DP-T1-GE3可以用作功率开关,控制电机的启停、转向和速度调节。 3. 负载开关:在消费类电子产品(如智能手机、平板电脑和笔记本电脑)中,该器件可作为负载开关使用,用于动态管理不同功能模块的供电状态,从而优化电池续航时间。 4. 电池保护与管理:应用于便携式设备中的电池保护电路,能够实现过流保护、短路保护以及防止反向充电等功能。 5. 信号切换:在通信设备或工业控制系统里,这款MOSFET可以用来切换不同的信号路径,确保信号传输的准确性和稳定性。 6. 逆变器与UPS系统:在不间断电源(UPS)或太阳能逆变器中,它能参与能量转换过程,提供快速且可靠的切换操作。 7. 汽车电子:尽管具体耐温范围需查阅数据手册确认,但类似规格的产品常用于车载电子装置,例如LED照明控制、电动座椅调节及娱乐系统等方面。 总之,凭借其出色的电气性能和紧凑的封装形式(如TrenchFET Gen III技术带来的低Rds(on)),SIR826DP-T1-GE3非常适合需要高效能、小尺寸解决方案的各种应用场合。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8MOSFET 80V 4.8mOhm@10V 60A N-Ch MV T-FET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 60 A |
Id-连续漏极电流 | 60 A |
品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
产品手册 | http://www.vishay.com/doc?67196 |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SIR826DP-T1-GE3TrenchFET® |
数据手册 | |
产品型号 | SIR826DP-T1-GE3SIR826DP-T1-GE3 |
Pd-PowerDissipation | 104 W |
Pd-功率耗散 | 104 W |
Qg-GateCharge | 27.9 nC |
Qg-栅极电荷 | 27.9 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 4.8 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 4.8 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 80 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 80 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | +/- 20 V |
上升时间 | 14 ns |
下降时间 | 8 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2900pF @ 40V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 90nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 4.8 毫欧 @ 20A,10V |
产品种类 | N-Channel MOSFETs |
供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
其它名称 | SIR826DP-T1-GE3DKR |
典型关闭延迟时间 | 36 ns |
功率-最大值 | 104W |
包装 | Digi-Reel® |
商标 | Vishay / Siliconix |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
封装/箱体 | PowerPAK SO-8 |
工厂包装数量 | 3000 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 80 S |
漏源极电压(Vdss) | 80V |
特色产品 | http://www.digikey.com/product-highlights/cn/zh/vishay-thunderfet/1150 |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 60A (Tc) |
系列 | SIRxxxDP |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |
零件号别名 | SIR826DP-GE3 |