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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK98150-55,135由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK98150-55,135价格参考。NXP SemiconductorsBUK98150-55,135封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BUK98150-55,135参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BUK98150-55,135 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 BUK98150-55,135 的晶体管由 NXP USA Inc. 生产,属于 MOSFET - 单 类别,是一款高性能的 N沟道增强型功率MOSFET。该器件具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适用于多种功率电子应用。 主要应用场景包括: 1. 电源管理系统:用于DC-DC转换器、开关电源(SMPS)中,实现高效的能量转换。 2. 电机驱动:适用于工业自动化、电动车或家电中的电机控制电路,提供高效率与稳定性能。 3. 负载开关:在电池供电设备中作为高侧或低侧开关,控制电源分配。 4. 逆变器与变频器:用于太阳能逆变器、UPS系统或变频驱动中,实现交流与直流之间的能量转换。 5. 汽车电子:如车载充电系统、车身控制模块等,因其具备良好的热稳定性和可靠性,适合在较严苛环境中使用。 该MOSFET采用标准封装(如TO-220或D2PAK),便于散热和安装,适合高功率密度设计。其典型漏源电压(VDS)为55V,适合中低压功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 55V 2.6A SOT-223MOSFET TAPE13 PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.6 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.6 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK98150-55,135TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK98150-55,135 |
| Pd-PowerDissipation | 1800 mW |
| Pd-功率耗散 | 1.8 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 120 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 120 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 10 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 10 V |
| 上升时间 | 38 ns |
| 下降时间 | 38 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 330pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 150 毫欧 @ 5A,5V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-73 |
| 其它名称 | 934050540135 |
| 典型关闭延迟时间 | 25 ns |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-261-4,TO-261AA |
| 封装/箱体 | SOT-223-3 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 4,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2.6A (Ta) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | /T3 BUK98150-55 |