Datasheet下载- 型号： TK39N60W,S1VF
- 制造商： Toshiba America Electronic Components, Inc.
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供TK39N60W,S1VF由Toshiba America Electronic Components, Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 TK39N60W,S1VF价格参考。Toshiba America Electronic Components, Inc.TK39N60W,S1VF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载TK39N60W,S1VF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有TK39N60W,S1VF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
型号为 TK39N60W, S1VF 的 Toshiba Semiconductor and Storage 品牌晶体管属于 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），主要用于 功率开关应用。 该器件是一款 N沟道MOSFET，具备较高的电流和电压承受能力，典型应用场景包括： 1. 电源转换器（Power Supply）：如AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）中作为主开关器件，用于高效能电能转换。 2. DC-DC转换器：在电动车、工业设备或通信设备中用于调节电压，实现高效稳压。 3. 电机驱动电路：用于电动工具、家电或工业电机控制中，作为高速开关驱动电机运行。 4. 逆变器（Inverter）：如UPS不间断电源或太阳能逆变系统中，用于将直流电转换为交流电。 5. 照明系统：如LED驱动电源中，用于调光或恒流控制。 该MOSFET具有低导通电阻（Rds(on)）、高耐压（600V）和大电流能力（39A），适用于中高功率应用，具备良好的热稳定性和开关性能，适合工业与消费类电子产品中的高效能设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| Ciss-输入电容 | 4100 pF |
| 描述 | MOSFET N CH 600V 38.8A TO247MOSFET DTMOSIV 600V 65mOhm 38.8A 270W 4100pF |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 超级结 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 38.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 38.8 A |
| 品牌 | ToshibaToshiba Semiconductor and Storage |
| 产品手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK39N60W |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Toshiba TK39N60W,S1VF- |
| 数据手册 | http://www.semicon.toshiba.co.jp/info/docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=TK39N60W |
| 产品型号 | TK39N60W,S1VFTK39N60W,S1VF |
| Pd-PowerDissipation | 270 W |
| Pd-功率耗散 | 270 W |
| Qg-GateCharge | 110 nC |
| Qg-栅极电荷 | 110 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 55 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 55 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.7 V to 3.7 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.7 V to 3.7 V |
| 上升时间 | 50 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3.7V @ 1.9mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4100pF @ 300V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 110nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 65 毫欧 @ 19.4A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 其它名称 | TK39N60WS1VF |
| 典型关闭延迟时间 | 200 ns |
| 功率-最大值 | 270W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Toshiba |
| 商标名 | DTMOSIV |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 30 |
| 正向跨导-最小值 | - |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38.8A （Ta） |
| 负载电压 | - |
| 配置 | Single |
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