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Datasheet下载- 型号： IRFD420PBF
- 制造商： Vishay
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IRFD420PBF产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFD420PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFD420PBF价格参考。VishayIRFD420PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 通孔 N 沟道 500V 370mA（Ta） 1W（Ta） 4-DIP，Hexdip，HVMDIP。您可以下载IRFD420PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFD420PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的IRFD420PBF是一款N沟道增强型功率MOSFET，其典型应用场景包括但不限于以下领域： 1. 开关电源（SMPS）： IRFD420PBF具有较低的导通电阻（Rds(on)）和较高的漏极电流能力，适合用于开关电源中的高频开关应用，例如降压、升压或反激式转换器。 2. 电机驱动： 该MOSFET适用于小型直流电机的驱动电路，能够高效地控制电机的启动、停止和速度调节。其耐压能力（400V）使其在高电压电机驱动场景中表现良好。 3. 逆变器： 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，IRFD420PBF可以用作开关元件，实现直流到交流的转换，支持高效的能量传输。 4. 负载切换： 它可以用于负载切换电路中，快速且可靠地开启或关闭负载，确保系统的稳定性和安全性。 5. 电子镇流器： 在荧光灯或LED灯的电子镇流器中，这款MOSFET可用作高频开关元件，提供高效的电能转换。 6. 脉宽调制（PWM）控制器： IRFD420PBF适用于PWM信号驱动的电路，例如音频放大器或加热器控制，能够实现精确的功率调节。 7. 电池管理系统（BMS）： 在电池保护电路中，该MOSFET可以用作充电/放电路径的开关，确保电池的安全运行。 8. 继电器替代： 由于其快速开关特性和低功耗，IRFD420PBF可以替代传统的机械继电器，用于需要频繁开关的应用。 总之，IRFD420PBF凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关特性，广泛应用于各种电力电子设备中，特别是在需要高效功率转换和控制的场合。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| 描述 | MOSFET N-CH 500V 370MA 4-DIPMOSFET N-Chan 400V 0.37 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 370 mA |
| 品牌 | Vishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFD420PBF- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFD420PBF |
| Pd-PowerDissipation | 1000 mW |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3 Ohms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 500 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8.6 ns |
| 下降时间 | 8.6 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 360pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 24nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 欧姆 @ 220mA，10V |
| 产品目录绘图 |
|
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 4-DIP，Hexdip，HVMDIP |
| 其它名称 | *IRFD420PBF |
| 典型关闭延迟时间 | 33 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 功率耗散 | 1000 mW |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 3 Ohms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | 4-DIP（0.300"，7.62mm） |
| 封装/箱体 | HexDIP-4 |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 2,500 |
| 汲极/源极击穿电压 | 500 V |
| 漏极连续电流 | 370 mA |
| 漏源极电压(Vdss) | 500V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 370mA （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | +/- 20 V |
