【晶体管 - FET，MOSFET - 单_IRFP350PBF】封装/厂家_IRFP350PBF中文资料_价格

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型号： IRFP350PBF
制造商： Vishay
库位|库存： xxxx|xxxx
要求：无整包装整卷装连续切割带批次不详

数量阶梯	香港交货	国内含税
+xxxx	$xxxx	￥xxxx

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IRFP350PBF产品简介：

ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP350PBF由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP350PBF价格参考。VishayIRFP350PBF封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单，通孔 N 沟道 400V 16A（Tc） 190W（Tc） TO-247-3。您可以下载IRFP350PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP350PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数图文手册常见问题

参数	数值
产品目录	分立半导体产品
ChannelMode	Enhancement
描述	MOSFET N-CH 400V 16A TO-247ACMOSFET N-Chan 400V 16 Amp
产品分类	FET - 单分离式半导体
FET功能	标准
FET类型	MOSFET N 通道，金属氧化物
Id-ContinuousDrainCurrent	16 A
Id-连续漏极电流	16 A
品牌	Vishay / SiliconixVishay Siliconix
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产品图片
rohs	RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
产品系列	晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix IRFP350PBF-
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产品型号	IRFP350PBFIRFP350PBF
Pd-PowerDissipation	190 W
Pd-功率耗散	190 W
RdsOn-Drain-SourceResistance	300 mOhms
RdsOn-漏源导通电阻	300 mOhms
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage	400 V
Vds-漏源极击穿电压	400 V
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage	+/- 20 V
Vgs-栅源极击穿电压	20 V
上升时间	49 ns
下降时间	47 ns
不同Id时的Vgs(th)（最大值）	4V @ 250µA
不同Vds时的输入电容(Ciss)	2600pF @ 25V
不同Vgs时的栅极电荷(Qg)	150nC @ 10V
不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值）	300 毫欧 @ 9.6A，10V
产品目录绘图
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产品种类	MOSFET
供应商器件封装	TO-247-3
其它名称	*IRFP350PBF
典型关闭延迟时间	87 ns
功率-最大值	190W
功率耗散	190 W
包装	管件
商标	Vishay / Siliconix
安装类型	通孔
安装风格	Through Hole
导通电阻	300 mOhms
封装	Tube
封装/外壳	TO-247-3
封装/箱体	TO-247-3
工厂包装数量	500
晶体管极性	N-Channel
最大工作温度	+ 150 C
最小工作温度	- 55 C
标准包装	25
汲极/源极击穿电压	400 V
漏极连续电流	16 A
漏源极电压(Vdss)	400V
电流-连续漏极(Id)（25°C时）	16A （Tc）
通道模式	Enhancement
配置	Single
闸/源击穿电压	+/- 20 V

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