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产品简介:
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STMicroelectronics的STB12NK80ZT4是一款N沟道增强型MOSFET,具有高耐压、低导通电阻和高功率处理能力,适用于多种电力电子应用。该器件耐压达800V,适合高电压工作环境,广泛用于以下场景: 1. 电源转换器:如AC-DC电源、DC-DC转换器等,用于高效能电源供应系统中,如服务器电源、通信设备电源等。 2. 电机驱动:在工业自动化设备、电机控制和电动工具中,作为功率开关控制电机的启停与转速。 3. 照明系统:如LED路灯电源、HID灯镇流器等高压照明系统中,实现高效能与高稳定性的电源管理。 4. 家电控制:用于空调、洗衣机、电磁炉等家用电器中的功率控制模块,实现节能与高效运行。 5. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统等,用于高频开关场合,提高系统转换效率与可靠性。 6. 汽车电子:如车载充电器、起停系统等,满足汽车环境对高可靠性和耐温性的要求。 该MOSFET采用TO-220封装,易于散热和安装,适合中高功率应用,具备良好的热稳定性和耐用性,是工业与消费类电子产品中常用的功率开关器件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 800V 10.5A D2PAK |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
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| 产品型号 | STB12NK80ZT4 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | SuperMESH™ |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4.5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 2620pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 87nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 750 毫欧 @ 5.25A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 497-4320-6 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF67099?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 190W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 800V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 10.5A (Tc) |