Datasheet下载- 型号： SI1426DH-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI1426DH-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI1426DH-T1-E3价格参考。VishaySI1426DH-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI1426DH-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI1426DH-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI1426DH-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，广泛应用于多种电子电路中。以下是其主要应用场景： 1. 电源管理 - DC-DC转换器：用于开关电源中的功率级，实现高效的电压转换。 - 负载开关：作为负载开关控制电路的通断，保护下游电路免受过流或短路的影响。 - 电池管理系统：用于电池充电和放电路径的控制，确保电池安全运行。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制：通过 PWM（脉宽调制）信号调节电机速度和方向。 - H桥电路：在双向电机控制应用中，与其他 MOSFET 配合使用。 3. 信号切换 - 信号隔离：用于音频、视频或其他信号的切换，确保信号完整性。 - 多路复用器：在需要选择不同输入信号的场合中，MOSFET 可作为模拟开关。 4. 保护电路 - 过流保护：利用其低导通电阻特性检测电流并限制过大电流。 - 短路保护：快速响应短路事件，切断电流以保护系统。 5. 便携式设备 - 智能手机和平板电脑：用于电源管理和外围设备的控制。 - USB 充电端口：实现充电电流的精确控制和保护功能。 6. 汽车电子 - 车载电子设备：如车窗升降器、座椅调节器等的小功率电机控制。 - LED 照明：用于 LED 驱动电路，提供高效且稳定的电流输出。 SI1426DH-T1-E3 的特点（低导通电阻、小封装尺寸、高开关速度）使其非常适合需要高效能、紧凑设计的应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 2.8A SC70-6MOSFET 30V 3.6A 0.075Ohm |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 2.8 A |
| Id-连续漏极电流 | 2.8 A |
| 品牌 | Vishay SiliconixVishay / Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI1426DH-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI1426DH-T1-E3SI1426DH-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 1 W |
| Pd-功率耗散 | 1 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 75 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 75 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 12 ns |
| 下降时间 | 12 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 75 毫欧 @ 3.6A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SC-70-6 （SOT-363） |
| 其它名称 | SI1426DH-T1-E3CT |
| 典型关闭延迟时间 | 15 ns |
| 功率-最大值 | 1W |
| 包装 | 剪切带 （CT） |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 商标名 | TrenchFET |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 |
| 封装/箱体 | SOT-363-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI1426DH-E3 |
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