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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF2804PBF由International Rectifier设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF2804PBF价格参考。International RectifierIRF2804PBF封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 40V 75A(Tc) 300W(Tc) TO-220AB。您可以下载IRF2804PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IRF2804PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies的IRF2804PBF是一款N沟道增强型MOSFET(金属氧化物场效应晶体管),广泛应用于需要高效功率转换和开关操作的场景。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 IRF2804PBF常用于各种电源管理系统中,如开关电源(SMPS)、DC-DC转换器等。它能够在高频率下实现高效的电压转换,减少能量损耗。由于其低导通电阻(Rds(on))特性,能够有效降低功耗,提高整体效率。 2. 电机驱动 该器件适用于无刷直流电机(BLDC)、步进电机等的驱动电路。通过精确控制电流的通断,IRF2804PBF可以实现电机的速度调节、方向控制等功能。其快速开关特性和低损耗使其在电机驱动应用中表现出色。 3. 电池管理系统 在电池管理系统(BMS)中,IRF2804PBF用于保护电池免受过充、过放、短路等异常情况的影响。它可以在检测到异常时迅速切断电流路径,确保电池的安全运行。 4. 汽车电子 IRF2804PBF也广泛应用于汽车电子系统中,如电动助力转向系统(EPS)、电子控制单元(ECU)、车载充电器等。其可靠的性能和耐高温能力使其适合在严苛的汽车环境中使用。 5. 工业自动化 在工业自动化领域,IRF2804PBF可用于伺服控制系统、可编程逻辑控制器(PLC)等设备中的开关控制。它能够承受较高的电流和电压,确保系统的稳定性和可靠性。 6. 消费电子产品 该器件还常见于笔记本电脑、智能手机充电器、LED照明驱动器等消费电子产品中。其紧凑的封装和高效的工作特性使其成为这些产品中的理想选择。 总结 IRF2804PBF凭借其出色的电气性能、可靠性和广泛应用范围,成为众多电力电子应用中的关键元件。无论是电源管理、电机驱动还是电池保护,它都能提供高效、稳定的解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 75A TO-220ABMOSFET MOSFT 40V 280A 2.3mOhm 160nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 280 A |
| Id-连续漏极电流 | 280 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRF2804PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRF2804PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 330 W |
| Pd-功率耗散 | 330 W |
| Qg-GateCharge | 160 nC |
| Qg-栅极电荷 | 160 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6450pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 240nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 2.3 毫欧 @ 75A,10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | *IRF2804PBF |
| 功率-最大值 | 300W |
| 功率耗散 | 330 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 160 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 40 V |
| 漏极连续电流 | 280 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 75A (Tc) |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irf2804.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irf2804.spi |
| 配置 | Single |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |