Datasheet下载- 型号： PSMN3R4-30PL,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R4-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R4-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R4-30PL,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R4-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R4-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN3R4-30PL,127 是恩智浦（NXP USA Inc.）推出的高性能N沟道增强型逻辑电平MOSFET，采用LFPAK56（Power-SO8）封装，具有超低导通电阻（RDS(on)典型值仅3.4 mΩ @ VGS = 10 V，4.8 mΩ @ 4.5 V）和优异的开关性能。其主要应用场景包括： - 高效率DC-DC电源转换：广泛用于服务器、通信设备及工业电源中的同步整流BUCK/BOOST转换器，显著降低导通损耗，提升系统能效。 - 电动工具与电池供电设备：支持12–30 V电池组（如12 V/24 V锂电平台），适用于无刷电机驱动的H桥或半桥电路，耐受峰值电流能力强（ID连续达120 A），响应快、发热低。 - LED照明驱动：作为PWM调光开关或恒流控制开关管，满足高可靠性与长寿命要求。 - 汽车电子辅助系统：符合AEC-Q101认证（注：该型号为工业级，非车规；但部分客户在非安全关键车载应用如座椅调节、水泵控制中使用，需自行评估），适用于12 V车载电源管理模块。 - 固态继电器（SSR）与负载开关：凭借低栅极电荷（Qg ≈ 50 nC）和快速开关特性，适用于高频、低延迟的电子开关应用。 其30 V额定电压、强鲁棒性（含雪崩耐量）及优化的热性能，使其特别适合空间受限、高功率密度且对能效敏感的中低压大电流场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V TO220ABMOSFET N-CHAN 30V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R4-30PL,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R4-30PL,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 114 W |
| Pd-功率耗散 | 114 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3907pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7514-5 |
| 功率-最大值 | 114W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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