Datasheet下载- 型号： PSMN3R4-30PL,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN3R4-30PL,127由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN3R4-30PL,127价格参考。NXP SemiconductorsPSMN3R4-30PL,127封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN3R4-30PL,127参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN3R4-30PL,127 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 PSMN3R4-30PL,127 是一款功率 MOSFET，适用于多种高效率、高频率的电源转换应用。该器件具有低导通电阻（Rds(on)）和高耐压特性，适合用于提高系统效率和减小热损耗。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、同步整流器和负载开关，尤其在服务器、电信设备和工业电源中表现优异。 2. 电机控制：适用于无刷直流电机（BLDC）和步进电机的驱动电路，提供快速开关和高效能。 3. 电池管理系统（BMS）：用于电动工具、储能系统和电动车中的充放电控制，具备高可靠性和耐久性。 4. 逆变器与变频器：在太阳能逆变器、UPS系统及工业变频驱动中，作为核心开关元件实现高效能电能转换。 5. 汽车电子：符合AEC-Q101标准，可用于车载充电器（OBC）、DC-DC转换器和电池保护电路等汽车应用。 该MOSFET采用高性能Trench技术，封装为LFPAK，具备良好的热管理和可靠性，适合自动化生产与高密度布局。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V TO220ABMOSFET N-CHAN 30V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN3R4-30PL,127- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN3R4-30PL,127 |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 114 W |
| Pd-功率耗散 | 114 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 3.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 3.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.15V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3907pF @ 12V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 64nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.4 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-7514-5 |
| 功率-最大值 | 114W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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