ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > STP7N95K3
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
STP7N95K3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STP7N95K3由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP7N95K3价格参考。STMicroelectronicsSTP7N95K3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 N 沟道 950V 7.2A(Tc) 150W(Tc) TO-220-3。您可以下载STP7N95K3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STP7N95K3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP7N95K3是一款N沟道增强型功率MOSFET,广泛应用于需要高效功率管理的场合。该器件具有高耐压(950V)、低导通电阻和优良的热性能,适用于高效率电源转换系统。 主要应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS):用于AC/DC和DC/DC转换器中,提供高效、稳定的功率转换。 2. 电机驱动:在工业自动化和家电中的电机控制电路中,作为功率开关使用。 3. 照明系统:如LED驱动器,适用于高电压输入的照明应用。 4. 新能源领域:如太阳能逆变器、储能系统等,用于能量转换与调节。 5. 电动汽车充电设备:作为功率开关元件,用于车载充电器或充电桩电源模块。 6. 工业电源与UPS:在不间断电源(UPS)及工业控制电源中实现高效能功率管理。 该MOSFET采用先进的STripFET™技术,具备高雪崩耐受能力和可靠的工作性能,适合在高电压、高频率和高功率密度的环境中使用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 950V 7.2A TO-220MOSFET N-Ch 950V 7.2 Amp |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.2 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP7N95K3SuperMESH3™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP7N95K3 |
| Pd-PowerDissipation | 150 W |
| Pd-功率耗散 | 150 W |
| Qg-栅极电荷 | 34 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 1.35 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 1.35 Ohms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 950 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 950 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 30 V |
| 上升时间 | 9 ns |
| 下降时间 | 23 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 100µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1031pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 1.35 欧姆 @ 3.6A,10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220-3 |
| 其它名称 | 497-8792-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1168/PF219940?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 36 ns |
| 功率-最大值 | 150W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 950V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.2A (Tc) |
| 系列 | STP7N95K3 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |