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  • 型号: RUM003N02T2L
  • 制造商: ROHM Semiconductor
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供RUM003N02T2L由ROHM Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 RUM003N02T2L价格参考¥0.28-¥0.51。ROHM SemiconductorRUM003N02T2L封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 20V 300mA(Ta) 150mW(Ta) VMT3。您可以下载RUM003N02T2L参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有RUM003N02T2L 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品半导体

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 20V 300MA VMT3MOSFET Small Signal Single N-CH 20V .3A .15W

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

300 mA

Id-连续漏极电流

300 mA

品牌

ROHM Semiconductor

产品手册

产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,ROHM Semiconductor RUM003N02T2L-

数据手册

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产品型号

RUM003N02T2L

Pd-PowerDissipation

150 mW

Pd-功率耗散

150 mW

RdsOn-Drain-SourceResistance

1000 mOhms at 4 V

RdsOn-漏源导通电阻

1 Ohms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

20 V

Vds-漏源极击穿电压

20 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 8 V

Vgs-栅源极击穿电压

8 V

上升时间

10 ns

下降时间

10 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

1V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

25pF @ 10V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

-

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

1 欧姆 @ 300mA,4V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=24809

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

VMT3

其它名称

RUM003N02T2LCT

典型关闭延迟时间

15 ns

功率-最大值

150mW

包装

剪切带 (CT)

商标

ROHM Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

SOT-723

封装/箱体

VMT-3

工具箱

/product-detail/zh/846-1001-KIT/846-1001-KIT-ND/2277302

工厂包装数量

8000

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

20V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

300mA (Ta)

通道模式

Enhancement

配置

Single

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