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详细数据请看参考数据手册
- 型号： PSMN005-30K,518
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN005-30K,518由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN005-30K,518价格参考。NXP SemiconductorsPSMN005-30K,518封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN005-30K,518参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN005-30K,518 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN005-30K,518 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 TO-220AB 封装，具有低导通电阻（Rds(on) 典型值仅 4.5 mΩ @ Vgs=10V，6.0 mΩ @ Vgs=4.5V）、30V 耐压及高达 120A 的脉冲电流能力。其主要应用场景包括： - 高效率 DC-DC 电源转换：广泛用于服务器、通信设备和工业电源中的同步整流、BUCK/BOOST 转换器的主开关或续流管，显著降低导通损耗，提升能效。 - 电机驱动与负载控制：适用于中小功率直流电机（如风扇、泵、电动工具）的 H 桥或单路驱动电路，支持 PWM 高频开关（>100 kHz），响应快、发热低。 - 热插拔与电子保险丝（eFuse）：凭借低 Rds(on) 和快速开关特性，常用于板级电源管理模块，实现过流保护、软启动和浪涌抑制。 - LED 驱动与照明系统：作为恒流调光开关，支持模拟/PWM 调光，适用于智能照明与汽车内饰灯等中功率应用。 - 电池管理系统（BMS）：用于电池充放电路径控制、反向电流阻断及保护电路，兼容 3.3V/5V 逻辑电平驱动，简化栅极驱动设计。 该器件通过 AEC-Q101 认证（部分批次），亦可用于车载辅助系统（如车身控制模块），但非车规主驱应用。其高可靠性、低热阻与成熟封装，使其在工业、通信及消费类中高功率开关场景中具有广泛应用价值。（字数：398）
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 20A SOT96-1 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | PSMN005-30K,518 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchMOS™ |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3100pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 34nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 5.5 毫欧 @ 15A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | 934056843518 |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 20A （Ta） |
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