ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 单 > FDMA520PZ
图片仅供参考
详细数据请看参考数据手册
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ¥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
FDMA520PZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA520PZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA520PZ价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA520PZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 P 沟道 20V 7.3A(Ta) 2.4W(Ta) 6-MicroFET(2x2)。您可以下载FDMA520PZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA520PZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDMA520PZ 是安森美半导体(ON Semiconductor)生产的一款P沟道MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),常用于电源管理和负载开关等应用中。其主要应用场景包括: 1. 电源管理电路:适用于DC-DC转换器、稳压器等电路中,作为高效能开关元件,帮助实现电源的稳定输出与节能。 2. 负载开关:用于控制电源对负载的供电,如在便携式电子产品中控制不同模块的电源通断,实现节能和系统保护。 3. 电池供电设备:常见于笔记本电脑、平板电脑、智能手机等设备中,用于电池充放电管理和电源路径控制。 4. 电机驱动与继电器驱动:作为开关元件用于控制小型电机、继电器等负载。 5. 汽车电子系统:如车载充电系统、车身控制模块等,因其具备良好的耐压和温度特性,适合在复杂环境中工作。 该器件采用5.0V栅极驱动,具有低导通电阻(Rds(on)),可提高系统效率,封装形式为PowerT669,适合表面贴装,适用于高密度电路设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 7.3A MLP2X2MOSFET -20V P-CH PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 7.3 A |
| Id-连续漏极电流 | 7.3 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA520PZPowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMA520PZ |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 2.4 W |
| Pd-功率耗散 | 2.4 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | - 20 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 20 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 12 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 12 V |
| 上升时间 | 29 ns |
| 下降时间 | 74 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1645pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 20nC @ 4.5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 30 毫欧 @ 7.3A,4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | MicroFET 2x2 |
| 其它名称 | FDMA520PZDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 83 ns |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 22 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 7.3A (Ta) |
| 系列 | FDMA520PZ |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Quad Drain |