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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供BSS123-7-F由Diodes Inc.设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BSS123-7-F价格参考¥0.17-¥0.75。Diodes Inc.BSS123-7-F封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载BSS123-7-F参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有BSS123-7-F 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
BSS123-7-F 是由 Diodes Incorporated 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于小信号功率 MOSFET。其主要应用场景包括: 1. 开关电源管理:常用于低电压、小电流的开关电路中,如便携式电子设备中的电源开关、负载开关等,因其导通电阻低(典型值约 5Ω),开关速度快,适合高频开关应用。 2. 电平转换电路:在数字电路中用于不同电压域之间的信号电平转换,例如将 3.3V 逻辑信号转换为 5V 信号,或反之。BSS123-7-F 具有良好的栅极控制特性,适合作为电平移位器使用。 3. LED 驱动与控制:适用于低功率 LED 的开关控制,广泛应用于消费类电子产品中的状态指示灯或背光控制。 4. 电池供电设备:由于其低漏电流和高输入阻抗,适合用于手机、平板、可穿戴设备等对功耗敏感的系统中,作为电源通断控制或节能管理模块。 5. 信号路由与多路复用:可用于模拟或数字信号路径的选择与切换,替代机械开关,提高系统可靠性。 6. 保护电路:在防反接、过流保护或热插拔电路中作为控制元件,防止电流倒灌或瞬态冲击。 BSS123-7-F 采用 SOT-23 小型封装,体积小,便于集成在高密度 PCB 设计中,适用于空间受限的应用场景。其最大漏源电压为 60V,连续漏极电流可达 170mA,适合低功率、高效率的设计需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 170MA SOT23-3MOSFET 100V 360mW |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 170 mA |
| Id-连续漏极电流 | 170 mA |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
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| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Diodes Incorporated BSS123-7-F- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BSS123-7-F |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 0.3 W |
| Pd-功率耗散 | 300 mW |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 6 Ohms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 6 Ohms |
| RoHS指令信息 | http://diodes.com/download/4349 |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 8 ns |
| 下降时间 | 8 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 60pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 欧姆 @ 170mA,10V |
| 产品目录绘图 |
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| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 其它名称 | BSS123-FDICT |
| 典型关闭延迟时间 | 13 ns |
| 功率-最大值 | 300mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 商标 | Diodes Incorporated |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
| 封装/箱体 | SOT-23-3 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 0.08 S |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 170mA (Ta) |
| 系列 | BSS123 |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |