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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供CXDM1002N TR由Central Semiconductor Corp设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 CXDM1002N TR价格参考。Central Semiconductor CorpCXDM1002N TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载CXDM1002N TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有CXDM1002N TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
CXDM1002N TR 是由 Central Semiconductor Corp. 生产的一款 N 沟道增强型 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)。该型号属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别,广泛应用于各种电子电路中。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理 - 开关电源(SMPS):CXDM1002N TR 的低导通电阻(Rds(on))特性使其非常适合用作开关元件,在开关电源中实现高效的能量转换。 - 直流-直流转换器:可用于降压或升压转换器中,作为主开关或同步整流器,提高效率并减少功耗。 2. 电机驱动 - 小型直流电机控制:适用于低功率电机驱动场景,例如玩具、风扇或其他小型设备的电机控制。 - H桥电路:在需要双向控制电机的应用中,CXDM1002N TR 可用于构建 H 桥电路,实现电机的正转和反转。 3. 负载开关 - 在便携式设备中,CXDM1002N TR 可用作负载开关,控制不同功能模块的供电状态,从而降低功耗并延长电池寿命。 4. 保护电路 - 过流保护:利用其快速响应特性和低导通电阻,可以在电路中实现过流保护功能。 - 短路保护:通过检测异常电流,及时切断电路以防止损坏其他元器件。 5. 信号切换 - 在多路复用器或信号切换电路中,CXDM1002N TR 可用作开关,选择不同的信号路径,适用于音频、视频或其他信号处理场景。 6. 消费电子产品 - 广泛应用于智能手机、平板电脑、笔记本电脑等消费类电子产品中,用于充电管理、电池保护和外围设备控制。 7. 汽车电子 - 虽然 CXDM1002N TR 的额定电压和电流相对较低,但在某些低功率汽车应用中(如车内照明、传感器接口),也可以发挥作用。 总结 CXDM1002N TR 凭借其优异的性能参数(如低 Rds(on)、高开关速度和可靠性),成为许多低功率、高效率应用的理想选择。它适用于需要高效能量转换、快速开关和低损耗的场景,同时支持多种类型的电子设备设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 20V 2A SOT-89 |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | Central Semiconductor Corp |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | CXDM1002N TR |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 550pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6nC @ 5V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 300 毫欧 @ 2A, 10V |
供应商器件封装 | SOT-89 |
其它名称 | CXDM1002N DKR |
功率-最大值 | 1.2W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | TO-243AA |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 2A (Ta) |