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Datasheet下载- 型号： IRFB3206PBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFB3206PBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFB3206PBF价格参考￥6.36-￥6.73。International RectifierIRFB3206PBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFB3206PBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFB3206PBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFB3206PBF的器件属于功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），具体分类为N沟道增强型MOSFET。该器件广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电源管理系统中。 IRFB3206PBF的主要应用场景包括： 1. 电源转换系统：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、开关电源（SMPS）等，适用于高效能电源管理场合。 2. 电机控制：用于直流电机、无刷电机驱动器中，实现对电机转速和方向的精确控制。 3. 汽车电子：如车载充电系统、电动助力转向系统、车身控制模块等，满足汽车工业对可靠性和效率的高要求。 4. 逆变器与UPS系统：用于不间断电源（UPS）或太阳能逆变器中，提供高效能电能转换支持。 5. 负载开关与功率管理：作为高边或低边开关，用于电池管理系统、负载切换控制等。 该MOSFET具备低导通电阻（Rds(on)）、高电流承载能力和优良的热性能，适合高频开关操作，有助于提升系统效率并减少散热设计复杂度。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 120A TO-220ABMOSFET MOSFT 60V 210A 3mOhm 120nC Qg |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 210 A |
| Id-连续漏极电流 | 210 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFB3206PBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFB3206PBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 300 W |
| Pd-功率耗散 | 300 W |
| Qg-GateCharge | 120 nC |
| Qg-栅极电荷 | 120 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.4 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.4 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6540pF @ 50V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 170nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3 毫欧 @ 75A，10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26250 |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 功率-最大值 | 300W |
| 功率耗散 | 300 W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | International Rectifier |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 2.4 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 栅极电荷Qg | 120 nC |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 210 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 120A （Tc） |
| 设计资源 | http://www.irf.com/product-info/models/saber/irfbsl3206pbf.sinhttp://www.irf.com/product-info/models/spice/irfbsl3206pbf.spi |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 闸/源击穿电压 | 20 V |
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