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FDD1600N10ALZ产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDD1600N10ALZ由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDD1600N10ALZ价格参考¥询价-¥询价。Fairchild SemiconductorFDD1600N10ALZ封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 6.8A(Tc) 14.9W(Tc) TO-252-5。您可以下载FDD1600N10ALZ参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDD1600N10ALZ 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FDD1600N10ALZ 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别。其应用场景广泛,主要应用于需要高效功率转换和开关操作的领域。以下是其主要应用场景: 1. 电源管理: FDD1600N10ALZ 常用于 DC-DC 转换器、开关电源(SMPS)、降压或升压转换器等应用中。它能够高效地进行功率切换,降低能量损耗。 2. 电机驱动: 该 MOSFET 可用于小型电机驱动电路中,如风扇、泵、无人机电机等。其低导通电阻(Rds(on))特性有助于减少发热并提高效率。 3. 电池管理系统 (BMS): 在电池保护和管理电路中,FDD1600N10ALZ 可作为开关元件使用,控制电池充放电过程中的电流流动。 4. 负载开关: 用于智能手机、平板电脑和其他便携式设备中的负载开关,实现快速开启/关闭功能,同时减少静态电流消耗。 5. 逆变器: 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,这款 MOSFET 可以用作功率开关,将直流电转换为交流电。 6. 汽车电子: 在汽车电子系统中,如车载充电器、LED 照明驱动、电动助力转向系统 (EPS) 等,FDD1600N10ALZ 提供了可靠的性能和耐用性。 7. 工业自动化: 适用于工业控制设备中的继电器替代、电磁阀驱动以及信号放大等功能。 总之,FDD1600N10ALZ 凭借其优异的电气特性和可靠性,适合各种需要高效功率处理的应用场景,尤其是在需要低功耗和高频率操作的场合表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
描述 | MOSFET N CH 100V 6.8A TO252-5MOSFET PT5 100V LL ZENER 150MOHM GRN COMPOUND |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 6.8 A |
Id-连续漏极电流 | 6.8 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDD1600N10ALZPowerTrench® |
数据手册 | |
产品型号 | FDD1600N10ALZ |
PCN封装 | |
PCN组件/产地 | |
Pd-PowerDissipation | 14.9 W |
Pd-功率耗散 | 14.9 W |
Qg-GateCharge | 3.61 nC |
Qg-栅极电荷 | 3.61 nC |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 175 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 175 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 2.8 V |
Vgsth-栅源极阈值电压 | 2.8 V |
上升时间 | 14 ns |
下降时间 | 14 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.8V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 225pF @ 50V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 3.61nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 160 毫欧 @ 3.4A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D-Pak |
其它名称 | FDD1600N10ALZCT |
典型关闭延迟时间 | 13 ns |
功率-最大值 | 14.9W |
包装 | 剪切带 (CT) |
单位重量 | 260.370 mg |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63 |
封装/箱体 | DPAK-2 |
工厂包装数量 | 2500 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 150 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 34 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.8A (Tc) |
系列 | FDD1600 |