Datasheet下载- 型号： SI7495DP-T1-E3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI7495DP-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI7495DP-T1-E3价格参考。VishaySI7495DP-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI7495DP-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI7495DP-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI7495DP-T1-E3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效功率控制的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于笔记本电脑、电源适配器、DC-DC 转换器等设备中的负载开关或同步整流。 2. 电池供电设备：在便携式电子产品如智能手机、平板电脑中用于电源开关控制，以提高能效和延长电池寿命。 3. 电机控制：可用于小型电机的驱动控制，如无人机、电动工具或机器人中的电机。 4. 负载开关与热插拔控制：适合用于服务器、通信设备中对电源进行精确控制与保护。 5. 工业自动化：在工业控制系统中作为高效率的开关元件，控制执行器、继电器或传感器的供电。 该器件具有低导通电阻（Rds(on)）、小型封装（如PowerPAK SO-8），适合高频开关应用，且具备良好的热稳定性和可靠性，适合高密度、高性能的电源设计需求。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 12V 13A PPAK SO-8 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI7495DP-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 900mV @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 140nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 21A，4.5V |
| 供应商器件封装 | PowerPAK® SO-8 |
| 功率-最大值 | 1.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | PowerPAK® SO-8 |
| 标准包装 | 3,000 |
| 漏源极电压(Vdss) | 12V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 13A （Ta） |
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