Datasheet下载- 型号： IRF9Z24NLPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRF9Z24NLPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRF9Z24NLPBF价格参考。International RectifierIRF9Z24NLPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRF9Z24NLPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRF9Z24NLPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRF9Z24NLPBF的器件是一款P沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于晶体管中的FET类别。 主要应用场景包括： 1. 电源管理电路：适用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，用于高效能电源转换与调节。 2. 负载开关：作为高边或低边开关控制负载，如电机、灯、风扇等，常用于工业控制与消费电子产品。 3. 电池供电设备：用于笔记本电脑、移动电源、电池管理系统（BMS）中，实现低功耗与高效能管理。 4. 逆变器与电机驱动：在小型电机控制或逆变器电路中，用于控制电流流向与功率输出。 5. 汽车电子系统：因其具备良好的热稳定性和可靠性，适用于车载电源系统、车身控制模块等。 该MOSFET采用TO-252封装，适合表面贴装，具备良好的散热性能，适用于中功率应用场景。设计时需注意其最大工作电压、电流及功耗限制，以确保稳定运行。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 55V 12A TO-262 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | International Rectifier |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRF9Z24NLPBF |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | HEXFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 19nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 175 毫欧 @ 7.2A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-262 |
| 其它名称 | *IRF9Z24NLPBF |
| 功率-最大值 | 3.8W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-262-3，长引线，I²Pak，TO-262AA |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 12A （Tc） |
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