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SI3458BDV-T1-E3产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供SI3458BDV-T1-E3由Vishay设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI3458BDV-T1-E3价格参考。VishaySI3458BDV-T1-E3封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 60V 4.1A(Tc) 2W(Ta),3.3W(Tc) 6-TSOP。您可以下载SI3458BDV-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有SI3458BDV-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI3458BDV-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET,属于功率场效应晶体管(FET),广泛应用于需要高效、高频率开关性能的电子电路中。 该器件常见应用场景包括: 1. 电源管理:如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关等,因其低导通电阻(Rds(on))和高效率,适合用于提高电源转换效率。 2. 电机控制:用于小型电机驱动电路中,实现对电机启停、转速和方向的控制。 3. 电池供电设备:如笔记本电脑、平板、便携式充电器等,用于电池充放电管理或负载切换,具有低功耗和高可靠性的优势。 4. 负载开关与热插拔应用:作为电子开关使用,控制电源通断,防止浪涌电流。 5. 汽车电子:用于车载电源系统、LED照明驱动等,满足汽车环境对可靠性和耐温性能的要求。 该MOSFET采用小型封装(如SOT-223),适合高密度PCB布局,适用于高频率开关应用,具有良好的热稳定性和耐用性。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 4.1A 6-TSOPMOSFET 60V 4.1A 3.3W 100mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 3.2 A |
| Id-连续漏极电流 | 3.2 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI3458BDV-T1-E3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI3458BDV-T1-E3SI3458BDV-T1-E3 |
| Pd-PowerDissipation | 2 W |
| Pd-功率耗散 | 2 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 100 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 100 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 17 ns, 12 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 350pF @ 30V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 11nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 100 毫欧 @ 3.2A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-TSOP |
| 其它名称 | SI3458BDV-T1-E3-ND |
| 典型关闭延迟时间 | 12 ns, 18 ns |
| 功率-最大值 | 3.3W |
| 包装 | 带卷 (TR) |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 100 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) |
| 封装/箱体 | TSOP-6 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 3,000 |
| 汲极/源极击穿电压 | 60 V |
| 漏极连续电流 | 3.2 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 4.1A (Tc) |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI3458BDV-E3 |