Datasheet下载- 型号： SI4324DY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4324DY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4324DY-T1-GE3价格参考。VishaySI4324DY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4324DY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4324DY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI4324DY-T1-GE3 是一款 P 沟道增强型 MOSFET，常用于电源管理和负载开关等应用场景。该器件具有低导通电阻、高耐压和优异的热稳定性，适用于对效率和可靠性要求较高的系统。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于 DC-DC 转换器、同步整流器等，提高电源转换效率。 2. 电池供电设备：如笔记本电脑、平板电脑和移动电源，用于电池保护和电源切换。 3. 负载开关：在服务器、通信设备和工业控制系统中，用于控制电源输出，实现快速开关和过流保护。 4. 电机驱动和继电器替代：因具备高可靠性和快速响应能力，适用于小型电机或继电器驱动电路。 5. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等，满足汽车应用中对稳定性和耐环境能力的要求。 其封装为 TSOP，便于在高密度 PCB 设计中使用，适合自动化装配。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 36A 8-SOIC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI4324DY-T1-GE3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3510pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 85nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 3.2 毫欧 @ 20A，10V |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 功率-最大值 | 7.8W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 标准包装 | 2,500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 36A （Tc） |
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