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FQB33N10TM产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FQB33N10TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB33N10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB33N10TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 33A(Tc) 3.75W(Ta),127W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB33N10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB33N10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
FQB33N10TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别,广泛应用于多种电子电路中。以下是该型号的一些典型应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - FQB33N10TM 的耐压为 100V,导通电阻低至 0.033Ω(典型值),适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的开启和关闭,适用于 DC-DC 转换器、反激式转换器等。 2. 电机驱动 - 在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可作为功率开关使用。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高电机驱动效率。 3. 负载开关 - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,FQB33N10TM 可用作负载开关,实现对不同功能模块的动态供电管理,从而降低功耗。 4. 电池管理 - 该器件适用于锂电池保护电路,可防止过充、过放或短路等问题。它的低导通电阻特性能够减少电池管理系统的能量损耗。 5. 逆变器 - 在小型逆变器应用中,FQB33N10TM 可用于将直流电转换为交流电,例如太阳能微逆变器或其他低功率逆变器系统。 6. LED 驱动 - 在 LED 照明领域,这款 MOSFET 可用于恒流驱动电路中,调节 LED 的亮度并确保其稳定工作。 7. 汽车电子 - FQB33N10TM 具有良好的耐用性和可靠性,适合用于汽车电子中的各种控制电路,如车窗升降、座椅调节、雨刷控制等。 8. 信号放大与缓冲 - 在某些低频信号处理场景中,该 MOSFET 可用作信号放大或缓冲元件,提供足够的驱动能力。 总结 FQB33N10TM 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点,在功率转换、电机驱动、电池管理等领域表现出色。同时,其紧凑的封装形式(如 DPAK 或其他表面贴装类型)也使其非常适合空间受限的设计。
参数 | 数值 |
产品目录 | |
ChannelMode | Enhancement |
描述 | MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKMOSFET 100V N-Channel QFET |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 33 A |
Id-连续漏极电流 | 33 A |
品牌 | Fairchild Semiconductor |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB33N10TMQFET® |
数据手册 | |
产品型号 | FQB33N10TM |
PCN封装 | |
Pd-PowerDissipation | 3.75 W |
Pd-功率耗散 | 3.75 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 52 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 52 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
上升时间 | 195 ns |
下降时间 | 110 ns |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 4V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1500pF @ 25V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 51nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 52 毫欧 @ 16.5A,10V |
产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356 |
产品目录页面 | |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | D²PAK |
其它名称 | FQB33N10TMDKR |
典型关闭延迟时间 | 80 ns |
功率-最大值 | 3.75W |
包装 | Digi-Reel® |
单位重量 | 1.312 g |
商标 | Fairchild Semiconductor |
安装类型 | 表面贴装 |
安装风格 | SMD/SMT |
封装 | Reel |
封装/外壳 | TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB |
封装/箱体 | D2PAK-2 |
工厂包装数量 | 800 |
晶体管极性 | N-Channel |
最大工作温度 | + 175 C |
最小工作温度 | - 55 C |
标准包装 | 1 |
正向跨导-最小值 | 22 S |
漏源极电压(Vdss) | 100V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 33A (Tc) |
系列 | FQB33N10 |
通道模式 | Enhancement |
配置 | Single |