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  • 型号: FQB33N10TM
  • 制造商: Fairchild Semiconductor
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FQB33N10TM产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供FQB33N10TM由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FQB33N10TM价格参考。Fairchild SemiconductorFQB33N10TM封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 表面贴装 N 沟道 100V 33A(Tc) 3.75W(Ta),127W(Tc) D²PAK(TO-263AB)。您可以下载FQB33N10TM参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FQB33N10TM 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

FQB33N10TM 是一款由 ON Semiconductor(安森美半导体)生产的 N 沟道增强型 MOSFET。它属于晶体管 - FET、MOSFET - 单一类别,广泛应用于多种电子电路中。以下是该型号的一些典型应用场景:

 1. 开关电源 (SMPS)
   - FQB33N10TM 的耐压为 100V,导通电阻低至 0.033Ω(典型值),适合用于开关电源中的功率开关。它可以高效地控制电流的开启和关闭,适用于 DC-DC 转换器、反激式转换器等。

 2. 电机驱动
   - 在小型直流电机或步进电机驱动中,该 MOSFET 可作为功率开关使用。其低导通电阻有助于减少功率损耗,提高电机驱动效率。

 3. 负载开关
   - 在便携式设备(如智能手机、平板电脑等)中,FQB33N10TM 可用作负载开关,实现对不同功能模块的动态供电管理,从而降低功耗。

 4. 电池管理
   - 该器件适用于锂电池保护电路,可防止过充、过放或短路等问题。它的低导通电阻特性能够减少电池管理系统的能量损耗。

 5. 逆变器
   - 在小型逆变器应用中,FQB33N10TM 可用于将直流电转换为交流电,例如太阳能微逆变器或其他低功率逆变器系统。

 6. LED 驱动
   - 在 LED 照明领域,这款 MOSFET 可用于恒流驱动电路中,调节 LED 的亮度并确保其稳定工作。

 7. 汽车电子
   - FQB33N10TM 具有良好的耐用性和可靠性,适合用于汽车电子中的各种控制电路,如车窗升降、座椅调节、雨刷控制等。

 8. 信号放大与缓冲
   - 在某些低频信号处理场景中,该 MOSFET 可用作信号放大或缓冲元件,提供足够的驱动能力。

 总结
FQB33N10TM 凭借其高耐压、低导通电阻和快速开关速度的特点,在功率转换、电机驱动、电池管理等领域表现出色。同时,其紧凑的封装形式(如 DPAK 或其他表面贴装类型)也使其非常适合空间受限的设计。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET N-CH 100V 33A D2PAKMOSFET 100V N-Channel QFET

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

33 A

Id-连续漏极电流

33 A

品牌

Fairchild Semiconductor

产品手册

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产品图片

rohs

RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FQB33N10TMQFET®

数据手册

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产品型号

FQB33N10TM

PCN封装

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Pd-PowerDissipation

3.75 W

Pd-功率耗散

3.75 W

RdsOn-Drain-SourceResistance

52 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

52 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

100 V

Vds-漏源极击穿电压

100 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 25 V

Vgs-栅源极击穿电压

25 V

上升时间

195 ns

下降时间

110 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

1500pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

51nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

52 毫欧 @ 16.5A,10V

产品培训模块

http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=356

产品目录页面

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产品种类

MOSFET

供应商器件封装

D²PAK

其它名称

FQB33N10TMDKR

典型关闭延迟时间

80 ns

功率-最大值

3.75W

包装

Digi-Reel®

单位重量

1.312 g

商标

Fairchild Semiconductor

安装类型

表面贴装

安装风格

SMD/SMT

封装

Reel

封装/外壳

TO-263-3,D²Pak(2 引线+接片),TO-263AB

封装/箱体

D2PAK-2

工厂包装数量

800

晶体管极性

N-Channel

最大工作温度

+ 175 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

1

正向跨导-最小值

22 S

漏源极电压(Vdss)

100V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

33A (Tc)

系列

FQB33N10

通道模式

Enhancement

配置

Single

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