Datasheet下载- 型号： DMN30H14DLY-13
- 制造商： Diodes Inc.
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供DMN30H14DLY-13由Diodes Inc.设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 DMN30H14DLY-13价格参考。Diodes Inc.DMN30H14DLY-13封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载DMN30H14DLY-13参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有DMN30H14DLY-13 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Diodes Incorporated的DMN30H14DLY-13是一款增强型P沟道MOSFET，常用于电源管理和负载开关应用。该器件适用于需要高效、低导通电阻和小封装的场景，主要应用场景包括： 1. 电源管理：用于DC-DC转换器、电池供电设备中的电源开关，实现高效能和低功耗设计。 2. 负载开关：在便携式电子产品（如智能手机、平板电脑）中，作为控制外设电源的开关元件，提高系统能效。 3. 电机驱动：适用于小型电机或继电器的控制电路，提供快速开关响应。 4. 保护电路：用于过流、过压保护电路中，作为可控开关元件，增强系统稳定性。 5. 工业控制：在工业自动化设备中，作为功率开关用于控制执行机构或传感器模块的供电。 该MOSFET采用SOT26封装，适合空间受限的高密度PCB设计，具有良好的热稳定性和可靠性，适用于消费类电子、工业及汽车电子等领域。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 300V .21A SOT-89 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Diodes Incorporated |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | DMN30H14DLY-13 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 96pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 14 欧姆 @ 300mA， 10V |
| 供应商器件封装 | SOT-89 |
| 其它名称 | DMN30H14DLY-13DIDKR |
| 功率-最大值 | 900mW |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-243AA |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 300V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 210mA （Ta） |
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