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Datasheet下载- 型号： IRFH4201TRPBF
- 制造商： International Rectifier
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFH4201TRPBF由International Rectifier设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFH4201TRPBF价格参考。International RectifierIRFH4201TRPBF封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFH4201TRPBF参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFH4201TRPBF 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Infineon Technologies（英飞凌科技）的型号为IRFH4201TRPBF的器件是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于单MOSFET器件。该器件广泛应用于需要高效开关性能和低导通电阻的场合。 其主要应用场景包括： 1. 电源管理：如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器、同步整流电路等，用于提高电源转换效率并减小体积。 2. 电机控制：在电动工具、家用电器及工业自动化设备中作为电机驱动开关元件，实现对电机转速与方向的精确控制。 3. 负载开关：用于智能电池管理系统、热插拔电路中，作为高效率电子开关使用。 4. 汽车电子：如车载充电系统、车身控制模块等，得益于其高可靠性和耐用性，适合复杂电磁环境下的稳定运行。 5. 工业自动化与物联网设备：适用于PLC控制模块、传感器供电控制等场景，支持智能化控制需求。 该MOSFET具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点，适合高频开关操作，是现代电子系统中实现节能与小型化的重要组件之一。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFNMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 49 A |
| 品牌 | International Rectifier |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,International Rectifier IRFH4201TRPBFHEXFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | IRFH4201TRPBF |
| PCN组件/产地 | |
| Pd-PowerDissipation | 3.5 W |
| Pd-功率耗散 | 3.5 W |
| Qg-GateCharge | 94 nC |
| Qg-栅极电荷 | 94 nC |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 970 uOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 25 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 1.6 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 1.6 V |
| 上升时间 | 43 ns |
| 下降时间 | 19 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.1V @ 150µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 6100pF @ 13V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 94nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 0.95 毫欧 @ 50A， 10V |
| 产品培训模块 | http://www.digikey.cn/PTM/IndividualPTM.page?site=cn&lang=zhs&ptm=26240 |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-PQFN（5x6） |
| 其它名称 | IRFH4201TRPBFDKR |
| 典型关闭延迟时间 | 24 ns |
| 功率-最大值 | 3.5W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | International Rectifier |
| 商标名 | FastIRFet |
| 安装类型 | * |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 970 uOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-PowerVDFN |
| 封装/箱体 | PQFN-8 5X6 |
| 工厂包装数量 | 4000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 正向跨导-最小值 | 175 S |
| 汲极/源极击穿电压 | 25 V |
| 漏极连续电流 | 49 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 25V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/fastirfet-power-mosfet/50450 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 49A （Ta） |
| 配置 | Single |
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