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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供STW57N65M5由STMicroelectronics设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STW57N65M5价格参考。STMicroelectronicsSTW57N65M5封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载STW57N65M5参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有STW57N65M5 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics(意法半导体)的型号STW57N65M5是一款N沟道增强型MOSFET,属于晶体管 - FET,MOSFET - 单类别。它广泛应用于需要高效功率转换和开关控制的场景中,具体应用场景包括: 1. 开关电源(SMPS): STW57N65M5适用于各种开关电源设计,如AC-DC或DC-DC转换器。其650V的耐压能力使其能够承受高电压输入,同时低导通电阻(Rds(on))有助于减少功率损耗,提高效率。 2. 电机驱动: 在工业自动化、家用电器和电动车领域,该器件可用于驱动直流无刷电机(BLDC)、步进电机或其他类型的电机。其快速开关特性和低损耗特性适合于高效电机控制。 3. 逆变器: 用于光伏逆变器、UPS(不间断电源)等设备中,将直流电转换为交流电。STW57N65M5的高电压耐受能力和良好的热性能确保了在这些应用中的稳定运行。 4. PFC(功率因数校正)电路: 在需要功率因数校正的应用中,例如大功率家电或工业设备,这款MOSFET可以作为主开关元件,提供高效的功率因数校正功能。 5. 负载开关和保护电路: 由于其出色的耐用性和可靠性,STW57N65M5可用于过流保护、短路保护以及负载开关等场景,保障系统安全运行。 6. 电动汽车充电站: 在电动车充电桩的设计中,该MOSFET可参与功率转换模块,支持快速充电需求。 总结来说,STW57N65M5凭借其高耐压、低导通电阻和优异的动态特性,非常适合用于高压、高频的功率转换及控制场合,满足消费电子、工业设备、汽车电子等多个领域的应用需求。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 650V 42A TO-247MOSFET N-Ch 650V 0.056 Ohm 42 A MDmesh V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 42 A |
| Id-连续漏极电流 | 42 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STW57N65M5MDmesh™ V |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STW57N65M5 |
| Pd-PowerDissipation | 250 W |
| Pd-功率耗散 | 250 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 63 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 63 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4200pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 98nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 63 毫欧 @ 21A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-247 |
| 其它名称 | 497-13125-5 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253185?referrer=70071840 |
| 功率-最大值 | 250W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 封装/箱体 | TO-247-3 |
| 工具箱 | /product-detail/zh/Q7096718/497-8013-KIT-ND/3479579 |
| 工厂包装数量 | 30 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 标准包装 | 30 |
| 漏源极电压(Vdss) | 650V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 42A (Tc) |
| 系列 | STW57N65M5 |