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Datasheet下载- 型号： BUK95180-100A,127
- 制造商： NXP Semiconductors
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BUK95180-100A,127产品简介：
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型号为BUK95180-100A,127的MOSFET属于NXP USA Inc.品牌，广泛应用于需要高效能和高可靠性的场景。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该MOSFET适用于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器和电源模块，因其低导通电阻和高效率特性，可有效减少能量损耗并提高系统效率。 2. 电机控制：在工业自动化和电机驱动系统中，该器件可用于控制电机的启停、速度和方向，适用于变频器和伺服驱动器等设备。 3. 照明系统：常用于LED照明和高强度放电灯（HID）的电子镇流器中，提供稳定和高效的电流控制。 4. 汽车电子：适用于车载电源系统、电动助力转向系统（EPS）及电池管理系统（BMS），满足汽车工业对高可靠性和耐久性的要求。 5. 工业控制：用于工业自动化设备中的负载开关、继电器替代和高边/低边开关控制。 6. 消费类电子产品：如高功率充电器、电源适配器和家用电器中，实现高效的功率控制。 该MOSFET采用127标准封装，便于散热和集成，适合高电流和高功率应用。其优异的热稳定性和耐用性，使其在复杂环境中仍能保持稳定性能。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | |
| ChannelMode | Enhancement |
| 描述 | MOSFET N-CH 100V 11A TO220ABMOSFET RAIL PWR-MOS |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 11 A |
| Id-连续漏极电流 | 11 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK95180-100A,127TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK95180-100A,127 |
| Pd-PowerDissipation | 54 W |
| Pd-功率耗散 | 54 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 173 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 173 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 100 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 100 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 15 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 15 V |
| 上升时间 | 112 ns |
| 下降时间 | 25 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 619pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | - |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 173 毫欧 @ 5A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220AB |
| 其它名称 | 568-9727-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 18 ns |
| 功率-最大值 | 54W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 导通电阻 | 173 mOhms |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 1000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 汲极/源极击穿电压 | 100 V |
| 漏极连续电流 | 11 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 100V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 11A （Tmb） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single Dual Drain |
| 零件号别名 | BUK95180-100A |
