Datasheet下载- 型号： BUK6607-55C,118
- 制造商： NXP Semiconductors
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供BUK6607-55C,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 BUK6607-55C,118价格参考。NXP SemiconductorsBUK6607-55C,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载BUK6607-55C,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有BUK6607-55C,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Nexperia USA Inc. 的 BUK6607-55C,118 是一款N沟道增强型MOSFET，具有低导通电阻、高效率和良好热性能的特点。该器件常用于需要高效能和高可靠性的电源管理系统中。 主要应用场景包括： 1. 电源管理：广泛用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）等，提供高效的电能转换。 2. 电机控制：适用于电动工具、家用电器和工业自动化中的电机驱动电路。 3. 负载开关：作为高效开关用于控制电池供电设备中的负载，如笔记本电脑、平板和便携式充电设备。 4. 照明系统：在LED照明驱动电路中用作开关元件，提高能效。 5. 汽车电子：用于车载电源系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 该MOSFET采用标准封装，易于集成到各类电路设计中，适合中高功率应用。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH TRENCH D2PACKMOSFET N-CHAN 55V 100A |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | RoHS 合规性豁免无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors BUK6607-55C,118TrenchMOS™ |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | BUK6607-55C,118 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 158 W |
| Pd-功率耗散 | 158 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 7 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 7 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 55 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 55 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 2.8V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 5160pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 82nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 6.5 毫欧 @ 25A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-6992-2 |
| 功率-最大值 | 158W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 55V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tmb） |
| 配置 | Single |
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