Datasheet下载- 型号： STP10P6F6
- 制造商： STMicroelectronics
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STP10P6F6由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STP10P6F6价格参考。STMicroelectronicsSTP10P6F6封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STP10P6F6参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STP10P6F6 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的STP10P6F6是一款P沟道MOSFET，常用于电源管理和开关电路中。该器件具有低导通电阻、高耐压和良好热性能的特点，适用于多种电子设备和系统。 主要应用场景包括： 1. 电源转换器与稳压器：用于DC-DC转换器、开关电源（SMPS）及电压调节模块，实现高效的能量转换。 2. 负载开关：在电池供电设备中作为高边或低边开关，控制电源通断，常用于笔记本电脑、平板、智能手机等便携设备。 3. 电机驱动：在小型电机控制电路中作为功率开关，用于电动工具、风扇或自动化设备中。 4. 逆变器与UPS系统：在不间断电源（UPS）或逆变器中用于功率切换，保障电力连续性和稳定性。 5. 工业控制与自动化：用于工业设备中的功率控制模块，如PLC、传感器电源管理等。 6. 汽车电子：适用于车载电源系统、车身控制模块（如车窗、灯光控制）等对可靠性和效率要求较高的场景。 该MOSFET采用封装形式（如TO-220或DPAK），便于散热和安装，适合中高功率应用。其高可靠性和广泛适用性使其成为工业与消费类电子产品中的常用元件。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET P CH 60V 10A TO-220MOSFET P-Ch 60V 0.15Ohm 10A pwr MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 10 A |
| Id-连续漏极电流 | 10 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP10P6F6DeepGATE™， STripFET™ VI |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STP10P6F6 |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 7 nC |
| Qg-栅极电荷 | 7 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 180 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 180 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 60 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | - 60 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 4 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 4 V |
| 上升时间 | 7 ns |
| 下降时间 | 10 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 340pF @ 48V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 6.4nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 160 毫欧 @ 5A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220 |
| 其它名称 | 497-13440 |
| 其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC77/PF251960?referrer=70071840 |
| 典型关闭延迟时间 | 16.5 ns |
| 功率-最大值 | 30W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 |
| 封装/箱体 | TO-220-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | P-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 10A （Tc） |
| 系列 | STP10P6F6 |
| 配置 | Single |
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