ICGOO在线商城 > 分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 单 > 2SJ661-DL-1E
Datasheet下载- 型号： 2SJ661-DL-1E
- 制造商： ON Semiconductor
- 库位|库存： xxxx|xxxx
- 要求：
| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
| +xxxx | $xxxx | ￥xxxx |
查看当月历史价格
查看今年历史价格
产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供2SJ661-DL-1E由ON Semiconductor设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 2SJ661-DL-1E价格参考。ON Semiconductor2SJ661-DL-1E封装/规格：晶体管 - FET，MOSFET - 单， 表面贴装 P 沟道 60V 38A（Ta） 1.65W（Ta），65W（Tc） TO-263-2。您可以下载2SJ661-DL-1E参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有2SJ661-DL-1E 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
2SJ661-DL-1E是安森美（ON Semiconductor）生产的一款P沟道MOSFET，属于晶体管中的场效应管（FET）类别。该器件主要用于开关和功率放大电路中，具有低导通电阻、高可靠性及良好的热稳定性等优点。 其典型应用场景包括：电源管理电路中的负载开关或反向电流保护，便携式电子设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电池供电控制，以及DC-DC转换器中的同步整流部分。此外，该MOSFET也常用于电机驱动电路、继电器驱动和LED照明调光控制等中小功率应用场合。 由于采用SOT-23封装，体积小巧，适合高密度贴装的便携式电子产品。2SJ661-DL-1E具备较好的栅极耐压能力，适用于低电压控制逻辑电路（如3.3V或5V系统），可直接由微控制器驱动，简化设计。其P沟道特性使其在高边开关应用中尤为方便，无需额外的电平移位电路。 综上，2SJ661-DL-1E广泛应用于消费电子、工业控制、通信设备和汽车电子中的低功耗电源开关与控制场景，是一款高性价比、稳定可靠的P沟道MOSFET解决方案。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 60V 38A |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平栅极，4V 驱动 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | ON Semiconductor |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | 2SJ661-DL-1E |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | - |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4360pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 80nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 39 毫欧 @ 19A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-263-2 |
| 功率-最大值 | 1.65W |
| 包装 | 带卷 （TR） |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | SC-83 |
| 标准包装 | 800 |
| 漏源极电压(Vdss) | 60V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 38A （Ta） |
- 创新在线价格指数发布
- ICGOO商城11月热搜型号盘点
- ICGOO商城10月热搜型号盘点
- 【活动已结束】这个双十一，ICGOO与你在“1”起
- ICGOO商城9月热搜型号盘点
- 【行业热点】智能家居会成为我们的刚需吗？
- ICGOO商城8月热搜型号盘点
- 【福利】ICGOO迎新季，新客注册下单享好礼，更有倍捷连接器多重惊喜哟~
