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  • 型号: IXTR16P60P
  • 制造商: IXYS
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IXTR16P60P产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供IXTR16P60P由IXYS设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IXTR16P60P价格参考。IXYSIXTR16P60P封装/规格:晶体管 - FET,MOSFET - 单, 通孔 P 沟道 600V 10A(Tc) 190W(Tc) ISOPLUS247™。您可以下载IXTR16P60P参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有IXTR16P60P 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

ChannelMode

Enhancement

描述

MOSFET P-CH 600V 10A ISOPLUS247MOSFET -10.0 Amps -600V 0.790 Rds

产品分类

FET - 单分离式半导体

FET功能

标准

FET类型

MOSFET P 通道,金属氧化物

Id-ContinuousDrainCurrent

- 10 A

Id-连续漏极电流

- 10 A

品牌

IXYS

产品手册

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产品图片

rohs

符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

晶体管,MOSFET,IXYS IXTR16P60PPolarP™

数据手册

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产品型号

IXTR16P60P

Pd-PowerDissipation

190 W

Pd-功率耗散

190 W

Qg-GateCharge

92 nC

Qg-栅极电荷

92 nC

RdsOn-Drain-SourceResistance

790 mOhms

RdsOn-漏源导通电阻

790 mOhms

Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage

- 600 V

Vds-漏源极击穿电压

- 600 V

Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage

+/- 20 V

Vgs-栅源极击穿电压

20 V

Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage

- 4 V

Vgsth-栅源极阈值电压

- 4 V

上升时间

25 ns

下降时间

38 ns

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

4.5V @ 250µA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

5120pF @ 25V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

92nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

790 毫欧 @ 8A,10V

产品种类

MOSFET

供应商器件封装

ISOPLUS247™

典型关闭延迟时间

60 ns

功率-最大值

190W

包装

管件

单位重量

5.300 g

商标

IXYS

商标名

PolarP

安装类型

通孔

安装风格

Through Hole

封装

Tube

封装/外壳

ISOPLUS247™

封装/箱体

ISOPLUS 247-3

工厂包装数量

30

晶体管极性

P-Channel

最大工作温度

+ 150 C

最小工作温度

- 55 C

标准包装

30

正向跨导-最小值

11 S

漏源极电压(Vdss)

600V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

10A (Tc)

系列

IXTR16P60

通道模式

Enhancement

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