Datasheet下载- 型号： SI4420BDY-T1-GE3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI4420BDY-T1-GE3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI4420BDY-T1-GE3价格参考。VishaySI4420BDY-T1-GE3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI4420BDY-T1-GE3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI4420BDY-T1-GE3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix的SI4420BDY-T1-GE3是一款N沟道增强型MOSFET，其主要应用场景包括： 1. 电源管理：该MOSFET适用于各种开关电源（SMPS）和直流-直流转换器中，用于高效地控制电流流动。其低导通电阻（Rds(on)）特性使其在高电流应用中表现出较低的功耗。 2. 负载开关：由于其低导通电阻和快速开关能力，SI4420BDY-T1-GE3非常适合用作负载开关，能够有效地控制电路中不同部分的供电状态，从而节省能源并提高系统效率。 3. 电池保护：在便携式电子设备中，这款MOSFET可用于电池保护电路，防止过充、过放或短路等异常情况对电池造成损害。 4. 电机驱动：可以用于小型电机驱动电路，提供精确的电流控制，支持电机的启动、停止及速度调节等功能。 5. 信号切换：在需要高速信号切换的应用场合，例如数据通信接口或多路复用器设计中，该器件凭借其优秀的开关性能可实现可靠的信号传输。 6. 汽车电子：鉴于其坚固耐用的设计，该MOSFET也适用于汽车电子系统中的多种功能模块，如车窗升降器、座椅调节器以及LED照明控制等。 总之，SI4420BDY-T1-GE3凭借其卓越的电气特性和紧凑的封装形式，广泛应用于消费类电子产品、工业设备以及交通运输领域等多种场景下的功率管理和信号处理任务中。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOICMOSFET 30V 13.5A 2.5W 8.5mohm @ 10V |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-连续漏极电流 | 9.5 A |
| 品牌 | Vishay / SiliconixVishay Siliconix |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Vishay / Siliconix SI4420BDY-T1-GE3TrenchFET® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | SI4420BDY-T1-GE3SI4420BDY-T1-GE3 |
| Pd-功率耗散 | 1.4 W |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 8.5 mOhms |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 上升时间 | 11 ns |
| 下降时间 | 11 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | - |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 50nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 8.5 毫欧 @ 13.5A，10V |
| 产品目录页面 | |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 8-SO |
| 其它名称 | SI4420BDY-T1-GE3DKR |
| 典型关闭延迟时间 | 40 ns |
| 功率-最大值 | 1.4W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | Vishay / Siliconix |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
| 封装/箱体 | SOIC-8 Narrow |
| 工厂包装数量 | 2500 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 9.5A （Ta） |
| 通道模式 | Enhancement |
| 配置 | Single |
| 零件号别名 | SI4420BDY-GE3 |
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