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产品简介:
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STP18N65M5 是由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的一款 N 沟道 MOSFET,属于晶体管 - FET、MOSFET - 单类型。以下是该型号的应用场景: 1. 开关电源 (SMPS) - STP18N65M5 的高电压耐受能力(650V)使其非常适合用于开关电源的设计,例如 AC-DC 转换器、DC-DC 转换器等。 - 其低导通电阻(典型值为 0.42Ω)有助于提高效率并减少功率损耗。 2. 电机驱动 - 适用于各种电机控制应用,例如步进电机、直流无刷电机(BLDC)或有刷直流电机的驱动。 - 可用于高边或低边开关配置,实现对电机的精确控制。 3. 逆变器 - 在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中,STP18N65M5 可用作功率开关,将直流电转换为交流电。 - 其快速开关特性和良好的热性能确保了高效运行。 4. 工业自动化 - 用于工业控制系统中的负载开关、继电器替代、电磁阀驱动等。 - 高耐用性和可靠性使其适合恶劣的工业环境。 5. 家电产品 - 应用于家用电器,如洗衣机、空调、冰箱等的功率控制部分。 - 提供高效的功率管理解决方案,降低能耗。 6. 照明系统 - 在 LED 照明驱动电路中,作为开关元件使用,支持调光和恒流控制。 - 适用于高压 LED 驱动器设计。 7. 电池管理系统 (BMS) - 用于保护电池组免受过充、过放或短路的影响。 - 作为充电/放电路径的开关,确保系统的安全性和稳定性。 8. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) - 在车载充电器 (OBC) 或 DC-DC 转换器中使用,提供高效的功率转换。 - 也可用于辅助系统的功率控制,如水泵、油泵等。 9. 其他应用场景 - 继电器替代:在需要频繁开关的场合,MOSFET 可以替代传统机械继电器,提高可靠性和寿命。 - 信号隔离:通过 MOSFET 实现高低压电路之间的隔离。 总之,STP18N65M5 凭借其高电压、低导通电阻和优异的开关特性,广泛应用于电力电子领域,尤其是在需要高效功率转换和控制的场景中表现突出。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
描述 | MOSFET N-CH 650V 15A TO-220MOSFET N-Ch 650V 0.198 Ohm 15 A MDmesh V |
产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
FET功能 | 标准 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
Id-ContinuousDrainCurrent | 9.4 A |
Id-连续漏极电流 | 9.4 A |
品牌 | STMicroelectronics |
产品手册 | |
产品图片 | |
rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STP18N65M5MDmesh™ V |
数据手册 | |
产品型号 | STP18N65M5 |
Pd-PowerDissipation | 110 W |
Pd-功率耗散 | 110 W |
RdsOn-Drain-SourceResistance | 220 mOhms |
RdsOn-漏源导通电阻 | 220 mOhms |
Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 650 V |
Vds-漏源极击穿电压 | 650 V |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 5V @ 250µA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1240pF @ 100V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 31nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 220 毫欧 @ 7.5A,10V |
产品种类 | MOSFET |
供应商器件封装 | TO-220 |
其它名称 | 497-13109-5 |
其它有关文件 | http://www.st.com/web/catalog/sense_power/FM100/CL824/SC1167/PF253476?referrer=70071840 |
功率-最大值 | 110W |
包装 | 管件 |
商标 | STMicroelectronics |
安装类型 | 通孔 |
安装风格 | Through Hole |
封装 | Tube |
封装/外壳 | TO-220-3 |
封装/箱体 | TO-220-3 |
工厂包装数量 | 50 |
晶体管极性 | N-Channel |
标准包装 | 50 |
漏源极电压(Vdss) | 650V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 15A (Tc) |
系列 | STP18N65M5 |