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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN6R1-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN6R1-30YLDX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN6R1-30YLDX封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN6R1-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN6R1-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN6R1-30YLDX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压(30V)和优良的热稳定性,适合用于以下应用场景: 1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,适用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的高效能电源模块。 2. 负载开关:用于控制电池供电设备中的电源分配,如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备。 3. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如无人机、电动工具和工业自动化设备中的驱动模块。 4. 电源管理IC配套器件:作为功率开关与PMIC配合使用,提升整体系统效率。 5. 汽车电子:用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。 6. 同步整流:在高效率开关电源中替代传统二极管进行同步整流,减少功率损耗。 该MOSFET采用小型化封装,适用于空间受限的设计,同时具备良好的导热性能,适合高密度PCB布局。
参数 | 数值 |
产品目录 | 分立半导体产品 |
描述 | MOSFET N-CH 30V 66A 56LFPAK |
产品分类 | FET - 单 |
FET功能 | 逻辑电平门 |
FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
品牌 | NXP Semiconductors |
数据手册 | |
产品图片 | |
产品型号 | PSMN6R1-30YLDX |
rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
产品系列 | - |
不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 2.2V @ 1mA |
不同Vds时的输入电容(Ciss) | 817pF @ 15V |
不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 13.6nC @ 10V |
不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 6 毫欧 @ 15A,10V |
供应商器件封装 | LFPAK56, Power-SO8 |
其它名称 | 568-11434-6 |
功率-最大值 | 47W |
包装 | Digi-Reel® |
安装类型 | 表面贴装 |
封装/外壳 | SC-100,SOT-669,4-LFPAK |
标准包装 | 1 |
漏源极电压(Vdss) | 30V |
电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 66A (Tmb) |