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  • 型号: PSMN6R1-30YLDX
  • 制造商: NXP Semiconductors
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN6R1-30YLDX由NXP Semiconductors设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN6R1-30YLDX价格参考。NXP SemiconductorsPSMN6R1-30YLDX封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载PSMN6R1-30YLDX参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有PSMN6R1-30YLDX 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

PSMN6R1-30YLDX 是由 Nexperia USA Inc. 生产的一款单N沟道增强型MOSFET,适用于需要高效能和高可靠性的电源管理应用。该器件具有低导通电阻、高耐压(30V)和优良的热稳定性,适合用于以下应用场景:

1. 电源转换器:如DC-DC转换器、AC-DC电源适配器,适用于笔记本电脑、服务器及通信设备中的高效能电源模块。

2. 负载开关:用于控制电池供电设备中的电源分配,如智能手机、平板电脑和便携式医疗设备。

3. 电机驱动:适用于小型电机控制电路,如无人机、电动工具和工业自动化设备中的驱动模块。

4. 电源管理IC配套器件:作为功率开关与PMIC配合使用,提升整体系统效率。

5. 汽车电子:用于车载充电系统、车身控制模块等对可靠性要求较高的场景。

6. 同步整流:在高效率开关电源中替代传统二极管进行同步整流,减少功率损耗。

该MOSFET采用小型化封装,适用于空间受限的设计,同时具备良好的导热性能,适合高密度PCB布局。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

分立半导体产品

描述

MOSFET N-CH 30V 66A 56LFPAK

产品分类

FET - 单

FET功能

逻辑电平门

FET类型

MOSFET N 通道,金属氧化物

品牌

NXP Semiconductors

数据手册

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产品图片

产品型号

PSMN6R1-30YLDX

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

不同Id时的Vgs(th)(最大值)

2.2V @ 1mA

不同Vds时的输入电容(Ciss)

817pF @ 15V

不同Vgs时的栅极电荷(Qg)

13.6nC @ 10V

不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值)

6 毫欧 @ 15A,10V

供应商器件封装

LFPAK56, Power-SO8

其它名称

568-11434-6

功率-最大值

47W

包装

Digi-Reel®

安装类型

表面贴装

封装/外壳

SC-100,SOT-669,4-LFPAK

标准包装

1

漏源极电压(Vdss)

30V

电流-连续漏极(Id)(25°C时)

66A (Tmb)

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