Datasheet下载- 型号： IRFP22N60K
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供IRFP22N60K由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 IRFP22N60K价格参考。VishayIRFP22N60K封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载IRFP22N60K参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有IRFP22N60K 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 IRFP22N60K 是一款高压 N 沟道功率 MOSFET，具有600V的漏源击穿电压和22A的连续漏极电流能力，适用于高效率、高功率开关应用。该器件常用于开关电源（SMPS）、DC-AC逆变器、电机驱动、照明镇流器以及工业控制设备中。 典型应用场景包括： 1. 开关电源：广泛应用于服务器电源、通信电源及工业电源模块中，因其具备低导通电阻和快速开关特性，有助于提升能效并减少发热。 2. LED 照明驱动：在大功率 LED 驱动电源中作为主开关管使用，支持高电压输入环境下的稳定工作。 3. 太阳能逆变器：用于将直流电转换为交流电的拓扑结构中，适合光伏系统中的功率转换环节。 4. 电机控制：在通用工业电机驱动或家用电器（如空调、洗衣机）的变频控制电路中实现高效电能调节。 5. 感应加热与电子镇流器：凭借其高耐压和良好的热稳定性，适用于电磁炉、荧光灯电子镇流器等高频应用。 IRFP22N60K 采用 TO-247 封装，散热性能良好，适合高功率密度设计。同时，该器件内置快恢复体二极管，可优化反向电流路径，增强系统可靠性。综合来看，它是一款适用于中高功率、高电压场景的高性能MOSFET，特别适合追求高效率与小型化的工业和消费类电子产品。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 22A TO-247AC |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 | |
| 产品型号 | IRFP22N60K |
| rohs | 含铅 / 不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | - |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 3570pF @ 25V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 150nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 280 毫欧 @ 13A，10V |
| 供应商器件封装 | TO-247-3 |
| 功率-最大值 | 370W |
| 包装 | 管件 |
| 安装类型 | 通孔 |
| 封装/外壳 | TO-247-3 |
| 标准包装 | 500 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 22A （Tc） |
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