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产品简介:
ICGOO电子元器件商城为您提供FDMA8884由Fairchild Semiconductor设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 FDMA8884价格参考。Fairchild SemiconductorFDMA8884封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载FDMA8884参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有FDMA8884 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
ON Semiconductor(安森美)的FDMA8884是一款N沟道功率MOSFET,属于单MOSFET器件,广泛应用于需要高效、低导通电阻和小封装尺寸的电源管理场景。该器件采用先进的Trench MOS技术,具备低栅极电荷、低导通电阻(RDS(on))和高开关效率,适合高频开关应用。 FDMA8884常用于便携式电子设备中的电源转换与负载开关,如智能手机、平板电脑、笔记本电脑和可穿戴设备。其小尺寸封装(如PowerLFPAK或类似)有助于节省PCB空间,同时支持高电流密度,适用于电池供电系统中的DC-DC转换器、同步整流、电压调节模块(VRM)以及电源管理单元(PMU)。 此外,该MOSFET也适用于电机驱动、LED背光驱动及热插拔电源控制等工业与消费类应用。凭借良好的热性能和可靠性,FDMA8884在要求高能效和紧凑设计的中低功率场合表现优异,是现代高集成度电子产品中理想的开关元件选择。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 30V 6.5A 6-MLP 2X2MOSFET 30V Single N-Channel PowerTrench MOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET N 通道,金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 6.5 A |
| Id-连续漏极电流 | 6.5 A |
| 品牌 | Fairchild Semiconductor |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,Fairchild Semiconductor FDMA8884PowerTrench® |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | FDMA8884 |
| PCN设计/规格 | |
| Pd-PowerDissipation | 1.9 W |
| Pd-功率耗散 | 1.9 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 30 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 30 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 30 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 30 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)(最大值) | 3V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 450pF @ 15V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 7.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn(最大值) | 23 毫欧 @ 6.5A,10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | 6-MLP(2x2) |
| 其它名称 | FDMA8884CT |
| 功率-最大值 | 700mW |
| 包装 | 剪切带 (CT) |
| 单位重量 | 30 mg |
| 商标 | Fairchild Semiconductor |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 导通电阻 | 30 mOhms |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | 6-WDFN 裸露焊盘 |
| 封装/箱体 | MicroFET-6 2x2 |
| 工厂包装数量 | 3000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 汲极/源极击穿电压 | 30 V |
| 漏极连续电流 | 6.5 A |
| 漏源极电压(Vdss) | 30V |
| 电流-连续漏极(Id)(25°C时) | 6.5A (Ta), 8A (Tc) |
| 系列 | FDMA8884 |
| 配置 | Single |