Datasheet下载- 型号： PSMN2R8-40BS,118
- 制造商： NXP Semiconductors
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| 数量阶梯 | 香港交货 | 国内含税 |
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供PSMN2R8-40BS,118由NXP Semiconductors设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 PSMN2R8-40BS,118价格参考。NXP SemiconductorsPSMN2R8-40BS,118封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载PSMN2R8-40BS,118参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有PSMN2R8-40BS,118 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
PSMN2R8-40BS,118 是 NXP USA Inc. 推出的一款高性能 N 沟道增强型逻辑电平 MOSFET，采用 LFPAK56（Power-SO8）封装。其关键参数包括：VDS = 40 V、RDS(on) 典型值仅 2.8 mΩ（VGS = 10 V）、ID（连续）达 120 A（Tc = 25°C），具备低导通损耗与优异热性能。 该器件主要应用于中高功率、高效率的直流开关场景，典型用途包括： ✅ 电动工具与园林设备——驱动无刷直流（BLDC）电机的半桥/全桥逆变器，得益于低 RDS(on) 和快速开关特性，可提升电池续航与响应速度； ✅ 服务器/通信电源——用作同步整流管或负载开关，在 12V/48V 输入的 DC-DC 转换器（如 POL 模块）中降低传导损耗； ✅ 工业 PLC 输出模块与固态继电器（SSR）——替代机械继电器，实现高频、无火花、长寿命的负载控制（如电磁阀、小型电机启停）； ✅ 汽车电子辅助系统——符合 AEC-Q101 认证（注：需确认具体批次是否通过车规认证；该型号常用于车载充电器、LED 照明驱动、风扇控制等非安全关键应用）； ✅ 电池管理系统（BMS）保护电路——作为充放电主回路的高侧/低侧开关，配合保护 IC 实现过流、短路切断。 其逻辑电平驱动特性（VGS(th) ≈ 1.0–2.1 V）支持直接由 MCU 或 FPGA 的 3.3V/5V GPIO 驱动，简化外围电路设计。LFPAK56 封装兼具小尺寸与强散热能力，适用于空间受限且需高功率密度的紧凑型设计。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 40V 100A D2PAKMOSFET Std N-chanMOSFET |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 100 A |
| Id-连续漏极电流 | 100 A |
| 品牌 | NXP Semiconductors |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,NXP Semiconductors PSMN2R8-40BS,118- |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | PSMN2R8-40BS,118 |
| Pd-PowerDissipation | 211 W |
| Pd-功率耗散 | 211 W |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 2.9 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 2.9 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 40 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 40 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 20 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 20 V |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 1mA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 4491pF @ 20V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 71nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 2.9 毫欧 @ 10A，10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | D2PAK |
| 其它名称 | 568-9489-6 |
| 功率-最大值 | 211W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 商标 | NXP Semiconductors |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 封装 | Reel |
| 封装/外壳 | TO-263-3，D²Pak（2 引线+接片），TO-263AB |
| 封装/箱体 | D2PAK-2 |
| 工厂包装数量 | 800 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 175 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 40V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 100A （Tc） |
| 配置 | Single |
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