Datasheet下载- 型号： SI2351DS-T1-E3
- 制造商： Vishay
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供SI2351DS-T1-E3由Vishay设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 SI2351DS-T1-E3价格参考。VishaySI2351DS-T1-E3封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载SI2351DS-T1-E3参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有SI2351DS-T1-E3 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
Vishay Siliconix 的 SI2351DS-T1-E3 是一款 N 沟道增强型 MOSFET，常用于需要高效、低电压控制的电子电路中。其主要应用场景包括： 1. 电源管理：适用于便携式设备（如智能手机、平板电脑、笔记本电脑）中的电源开关和负载管理，因其低导通电阻（Rds(on)）可减少功率损耗，提高能效。 2. 电池供电设备：由于其低电压驱动特性（可工作在 1.8V 至 4.5V 栅极驱动电压下），适合用于电池供电系统中的开关元件，延长电池寿命。 3. 负载开关与电源分配：可用于控制不同模块的供电，实现热插拔或节能管理。 4. DC-DC 转换器：适用于小型 DC-DC 转换电路，作为同步整流器或开关元件，提升转换效率。 5. 电机驱动与继电器替代：在小型电机或继电器控制中，作为固态开关使用，响应速度快、寿命长。 6. 信号开关：在模拟或数字信号路径中作为高速开关使用，适用于音频、视频信号切换等场景。 该器件采用小型 TSOP 封装，适合高密度 PCB 设计，广泛应用于消费电子、工业控制和通信设备中。
产品参数
图文手册
常见问题
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品 |
| 描述 | MOSFET P-CH 20V 2.8A SOT23-3 |
| 产品分类 | FET - 单 |
| FET功能 | 逻辑电平门 |
| FET类型 | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| 品牌 | Vishay Siliconix |
| 数据手册 | |
| 产品图片 |
|
| 产品型号 | SI2351DS-T1-E3 |
| rohs | 无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | TrenchFET® |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 1.5V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 250pF @ 10V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 5.1nC @ 5V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 115 毫欧 @ 2.4A，4.5V |
| 产品目录页面 | |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3（TO-236） |
| 其它名称 | SI2351DS-T1-E3DKR |
| 功率-最大值 | 2.1W |
| 包装 | Digi-Reel® |
| 安装类型 | 表面贴装 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 标准包装 | 1 |
| 漏源极电压(Vdss) | 20V |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 2.8A （Tc） |
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