Datasheet下载- 型号： STF33N60M2
- 制造商： STMicroelectronics
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产品简介：
ICGOO电子元器件商城为您提供STF33N60M2由STMicroelectronics设计生产，在icgoo商城现货销售，并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 STF33N60M2价格参考。STMicroelectronicsSTF33N60M2封装/规格：未分类， 暂无。您可以下载STF33N60M2参考资料、Datasheet数据手册功能说明书，资料中有STF33N60M2 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。
STMicroelectronics的型号STF33N60M2是一种N沟道增强型功率MOSFET，其应用场景广泛，主要应用于需要高效开关和低导通损耗的电力电子设备中。以下是该型号的主要应用场景： 1. 开关电源（SMPS）：STF33N60M2适用于各种开关电源设计，包括AC-DC和DC-DC转换器。其高电压耐受能力（600V）和低导通电阻（典型值为0.45Ω）使其在高频开关应用中表现出色。 2. 电机驱动：该器件可用于控制中小型电机的运行，例如家用电器中的风扇、水泵或压缩机等。其快速开关特性和低功耗有助于提高电机驱动系统的效率。 3. 逆变器：在太阳能逆变器或其他类型的逆变器中，STF33N60M2可以作为关键的开关元件，用于将直流电转换为交流电。 4. 负载开关与保护电路：由于其具备良好的电流承载能力和热稳定性，STF33N60M2适合用作负载开关，同时也可以集成到过流保护或短路保护电路中。 5. 电池管理系统（BMS）：在电动车、储能系统或便携式设备的电池管理中，该MOSFET可以用作充电/放电路径上的开关，确保安全且高效的能源管理。 6. 照明系统：例如LED驱动器中，STF33N60M2能够提供精确的电流调节，并支持调光功能，从而优化照明性能并减少能耗。 总之，STF33N60M2凭借其出色的电气参数和可靠性，非常适合用于工业控制、消费类电子产品以及绿色能源相关领域的多种高压、大功率应用场景。
| 参数 | 数值 |
| 产品目录 | 分立半导体产品半导体 |
| 描述 | MOSFET N-CH 600V 26A TO220FPMOSFET N-CH 600V 0.108Ohm 26A MDmesh II Plus |
| 产品分类 | FET - 单分离式半导体 |
| FET功能 | 标准 |
| FET类型 | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| Id-ContinuousDrainCurrent | 26 A |
| Id-连续漏极电流 | 26 A |
| 品牌 | STMicroelectronics |
| 产品手册 | |
| 产品图片 |
|
| rohs | 符合RoHS无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
| 产品系列 | 晶体管,MOSFET,STMicroelectronics STF33N60M2MDmesh™ II Plus |
| mouser_ship_limit | 该产品可能需要其他文件才能进口到中国。 |
| 数据手册 | |
| 产品型号 | STF33N60M2 |
| Pd-PowerDissipation | 35 W |
| Pd-功率耗散 | 35 W |
| Qg-GateCharge | 45.5 nC |
| Qg-栅极电荷 | 45.5 nC |
| RdsOn-Drain-SourceResistance | 108 mOhms |
| RdsOn-漏源导通电阻 | 108 mOhms |
| Vds-Drain-SourceBreakdownVoltage | 600 V |
| Vds-漏源极击穿电压 | 600 V |
| Vgs-Gate-SourceBreakdownVoltage | +/- 25 V |
| Vgs-栅源极击穿电压 | 25 V |
| Vgsth-Gate-SourceThresholdVoltage | 3 V |
| Vgsth-栅源极阈值电压 | 3 V |
| 上升时间 | 9.6 ns |
| 下降时间 | 9 ns |
| 不同Id时的Vgs(th)（最大值） | 4V @ 250µA |
| 不同Vds时的输入电容(Ciss) | 1781pF @ 100V |
| 不同Vgs时的栅极电荷(Qg) | 45.5nC @ 10V |
| 不同 Id、Vgs时的 RdsOn（最大值） | 125 毫欧 @ 13A， 10V |
| 产品种类 | MOSFET |
| 供应商器件封装 | TO-220FP |
| 其它名称 | 497-14217-5 |
| 典型关闭延迟时间 | 109 ns |
| 功率-最大值 | 35W |
| 包装 | 管件 |
| 商标 | STMicroelectronics |
| 安装类型 | 通孔 |
| 安装风格 | Through Hole |
| 封装 | Tube |
| 封装/外壳 | TO-220-3 整包 |
| 封装/箱体 | TO-220FP-3 |
| 工厂包装数量 | 50 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 最大工作温度 | + 150 C |
| 最小工作温度 | - 55 C |
| 标准包装 | 50 |
| 漏源极电压(Vdss) | 600V |
| 特色产品 | http://www.digikey.cn/product-highlights/zh/mdmesh-ii-plus-low-qg-power-mosfets/52036 |
| 电流-连续漏极(Id)（25°C时） | 26A （Tc） |
| 系列 | STF33N60M2 |
| 配置 | Single |
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